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hwp1. 리소그래피
리소그래피(Lithography)는 반도체 직접회로를 만들 때 회로의 패턴을 기록하는 방식, 즉 전사(傳寫 : 배껴적음) 기법을 말한다. 고직접회로가 가능하게 된 것은 크고 복잡한 전자 회로를 아주 작은 크기로 축소하여 실리콘 웨이퍼 위에 옮길 수 있게 되면서다.
리소그래피 기본 원리는 우리가 사진을 찍는 것과 비슷하다. 우리는 카메라 렌즈를 작동시켜 큰 집과 사람과 나무를 한 장의 인화지 속에 축소하여 나타낼 수 있다. 마찬가지로 구조가 크고 복잡한 회로의 설계 패턴을 웨이퍼라는 인화지 위에 모양 그대로 그러나 크기는 아주 작게 옮겨 나타낼 수 있다. 마찬가지로 구조가 크고 복잡한 회로의 설계 패턴을 웨이퍼라는 인화지 위에 모양 그대로 그러나 크기는 아주 작게 옮겨 나타낼 수 있다.
직접도가 높지 않았던 초기에는 사진처럼 빛을 이용하는 광 리소그래피였다. 그러나 빛을 이용하는 광학현미경으로는 작은 것을 들여다보는 데 한계가 있기 때문에 전자현미경을 사용하는 것처럼, 집적도와 축소율이 높아짐에 따라 최근에는 빛보다 파장이 짧은 X선이나 전자빔을 사용하는 X선 리소그래피와 전자빔 리소그래피를 이용해서 반도체 만드는 것을 연구하고 있다.
-출처 : 네이버 지식 검색
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50nm급 나노임프린트 리소그래피 공정 개발
관련업체 기술이전 11월중 상용화 예정
▲ 나노임프린트공정에 의해 임프린트된 50nm 선 패턴 ⓒ
50nm급 선폭의 나노패턴을 경제적으로 제작할 수 있는 기술이 국내에서 개발됐다.
과학기술부(부총리 겸 장관 오명)의 21세기 프론티어연구개발사업 나노메카트로닉스기술개발사업단(단장 이상록)의 지원을 받은 한국기계연구원(원장 박화영) 이응숙 박사 연구팀은 고비용 광리소그래피 공정을 대체할 자외선 나노임프린트 리소그래피 공정과 장비를 개발했다고 15일 밝혔다.
나노임프린트 리소그래피(Nanoimprint lithography, NIL) 기술은 1996년 미국 프린스턴대학의 추 교수에 의해 처음 제안됐는데, 현재 경제적이면서 효과적으로 나노구조물을 제작할 수 있는 기술로 평가되고 있다. 나노형상의 제품을 제작하는데 종이 위에 도장을 찍는 것과 유사한 방법을 사용하는데, ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)는 2010년에서 2013년 사이 32nm에서 22nm DRAM 제작하는 나노임프린트기술이 필요할 것으로 전망하고 있다. 그러나 지금까지 꾸준히 발전해 온 반도체의 공정기술이 90nm 선폭의 구조물을 만드는 수준에 머물러 있다.
