분야
hwp원 리
LTPS 란?
저온 다결정 Si의 형성 방법
레이저에 의한 저온다결정 Si 형성 기술
비정질 Si의 열처리에 의한 저온다결정 Si 형성 기술
저온 폴리실리콘의 결정화 형성 기술 비교
장 비
레이저 어닐링(Annealing) 장비
결정화 및 활성화 장비
공 정
전반적 공정
ELA 공정
SLS 공정
Comparison of SLS & ELA
CGS 공정
MIC & MILC
교번자속 가열 결정화
응용분야
응용제품
개발방향
LTPS란 저온에서 amorphous phase이 없이 실리콘의 Grains이 결정화된 것을 말한다
● 저온 다결정 Si의 형성 방법
저온 다결정 Si의 형성 방법은 직접증착에 의한 방법과 비정질 Si의 결정화에 의한
방법이 있으며, 결정화 방법이 일반적으로 사용되고 있다.
○ 직접증착에 의해 Si를 형성하는 방법은 가장 직접적이고 간편한 방법이지만,
일반적으로 입자크기가 작고, 결합이 많아 다결정 Si의 품질이 좋지 않아,
다결정 Si TFT의 성능이 좋지 않음.
○ 비정질 Si의 결정화 방법은 일반적으로 입자크기가 큰 다결정 Si을 얻을 수 있으며, 방법에 따라 고품질의 다결정 Si 박막을 얻을 수 있음.
구 분
상 세 방 법
직접증착
→ CVD, PVD 등에 의한 직접 증착
결 정 화
레이저 결정화
→ 펄스 레이저에 의한 결정화
- ELA(Excimer Laser Annealing)
- SLS(Sequential Lateral Solidification)
→ 연속 레이저에 의한 결정화
열결정화
→ 비정질 Si의 고상결정화
- SPC(Solid Phase Crystallization)
→ 금속촉매에 의한 결정화
- MIC(Metal Induced Crystallization)
- MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)
- SGS(Super Grain Silicon)
복합결정화
→ 레이저와 열결정화의 복합에 의한 결정화
- CGS(Continuous Grain Silicon)
● 레이저에 의한 저온다결정 Si 형성 기술
○ 펄스레이저 혹은 연속레이저 의해 비정질 혹은 다결정 Si을 녹인 후 재결정화 시키는 방법으로 일반적으로 ELA가 응용되고 있으며, ELA를 응용한 GLC기술, 입자 배열 조절 기술, SLS 기술 등이 제안되고 있음.
․ 비정질 Si에 레이저를 조사하면 비정질 Si이 녹게 되며, 용융된 Si이 재결정화 됨에 의해
다결정 Si이 형성됨.
결정화 방법
특 징
ELA
→ 다결정 Si의 형성 방법으로 일반적으로 사용
→ 선형 엑시머 레이저빔을 이용하여 90% 이상 중첩시킴
→ 레이저의 안정성 등으로 인해 입자 균일도 등의 개선이 필요함
→ 삼성전자, LPL, 소니, Toppoly 등에서 양산에 사용
SLS
→ 높은 레이저 에너지를 사용함
→ 다결정 Si의 입자 크기, 입자 모양, 입자의 배열 등을 조절할 수 있음
→ 입자 크기가 큰 다결정 Si의 제조가 가능하며 단결정을 이용한 MOSFET의
성능에 준하는 TFT를 얻을 수 있음
→ 삼성전자에서는 이를 이용한 양산을 시도하고 있음
other
→ 네덜런드의 Delft 대학에서는 금속 패턴 형성을 통하여 입자의 배열 및 입자의
위치를 제어하는 기술을 개발
