분야
ppt2. 반도체 제품 종류
3. DRAM의 기본구조
4. 반도체 제조 FLOW
5. 반도체 FAB제조 공정
6. 공정개요 : CVD
6. 공정개요:PVD(SPUTTER)
6. 공정개요: CMP
6. 공정개요 : DIFFUSION
6. 공정개요 : PHOTO
6. 공정개요:PHOTO(장치개략도)
6. 공정개요:PHOTO(기술동향)
6. 공정개요:PHOTO(장치차이-1)
6. 공정개요:PHOTO(장치차이-2)
6. 공정개요:PHOTO(성능차이)
6. 공정개요 : ETCH
6. 공정개요:ETCH(ASHER/세정)
6. 공정개요:ION IMPLANTATION
7. 차세대 반도체 생산을 위한 기술 변화
8. 수율의 종류 및 의미
9. 수율을 결정하는 요소
1. DATA의 보존 ( CAPACITOR)
2. WORD LINE (GATE ON,OFF)
3. DATA LINE (DATA의 입,출력 통로)
* MEMORY CELL에 요구되는 특성은 ?
1. 대용량화에 적당해야됨
2. 미소 신호 검출을 위한 고감도의 증폭장치(SENSE AMP.)
3. 주기적인 REFRESH가 필요함.
FAB제조 공정 예 (완성품 단면도 - 64M LF)
CVD 공정개요:
막 형성에 필요한 물질을 기체상태로 반응실에 도입시켜 적절한 반응조건하에서 물질의 화학반응을 통해 Wafer상에 박막을 형성하는 공정
http://users.ece.gatech.edu/~gmay/overview.html
