![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0001.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0002.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0003.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0004.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0005.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0006.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0007.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0008.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0009.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0010.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0011.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0012.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0013.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0014.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0015.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-16](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0016.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-17](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0017.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-18](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0018.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-19](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0019.gif)
![[반도체] RIE(Reactive Ion Etching)-20](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437365-0020.gif)
분야
pptRIE Apparatus and Reaction Steps
Mechanisms of RIE
Selectivity and etching profile
Contamination and Damage
Current Application and Trend
Summary
(Right) RIE system from Eidgenossische Technishe Hochschule Suiss Federal Institute of Technology
(http://www.ifm.ethz.ch/mems/eq_rie.htm
Wafer가 놓이는 전극에
RF전압을 인가하고, 공정압력을
낮게 유지하여 Plasma 중의 양이온이
Plasma sheath를 통해 가속되게
함으로써 Planar 방식에 비해 이방성
식각 특성을 향상시킨 구조이다.
평판 반응조 내의 유효면적을 늘리기 위해 중성 전극이 챔버 벽에 붙어 있음
플라즈마와 전극 사이의 전위차를 크게 해 주어 이온 충돌 세기 증대
RIE Apparatus
Plasma Etching system
주로 화학적인 반응에 의해 에칭 진행
이온의 충돌에 의한 이방성 에칭이 되기 어려움
아래 위 두 전극의 크기는 거의 같이 보이지만
반응관 벽면은 접지되어 있으므로
RF가 인가되는 전극에 비해 웨이퍼가 올려져 있는 접지된 전극의 면적이 훨씬 크다.
Reactive Ion Etching system
충돌하는 이온의 에너지를 증가시켜 이방성 에칭을 가능하게 하기 위해 웨이퍼를 RF가 인가되는 작은 면적의 전극에 올려 놓고 에칭
반대쪽 전극에 충돌하는 이온의 에너지가 낮아지므로 PE 방식에서 문제가 되는 반대쪽 전극의 손상이나 파티클 발생 등의 문제 해결 가능
1015 ions/cm2 이 300~ 700 eV 의 energy 로 표면과 충돌할 때 substrate 표면파괴 및 화학적인 오염이 심각함
residual film 형성
gas phase particle deposition
metallic impurities
불순물 제거 방법 : 습식 산화 제거에 의한 산소 또는 수소 plasma 처리
Brian Chapman, Glow Discharge Processes; Sputtering and Plasma etching, John Wiley & Sons, 1980
Y. Nishi et al., Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology
Alfred Grill, Cold Plasma in Materials Fabrication, John Wiley & Sons, 1994
윤현민, 이형기 , 반도체 공학, 복두출판사, 1995
김형열, 반도체 공정 및 측정 , 전자자료사, 1995
이종덕, 실리콘집적회로 공정기술, 대영사
2004 신기술동향조사 보고서 - 반도체 제조용 식각 기술, 특허청
http://www.elettra.trieste.it/experiments/beamlines/lilit/htdocs/people/luca/tesihtml/node50.html
http://www.jsits.com/pets-RieEtch.htm
http://www.dt.co.kr/contents.html?article_no=2007020602011832717001
http://www.amat.co.kr/
http://ksia.or.kr/new_korean/
http://www.ifm.ethz.ch/mems/eq_rie.htm
