[반도체] Oxidation Layering

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레포트 > 공학계열
2010.04.26
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소개글

[반도체] Oxidation Layering에 대한 자료입니다.

1. Nature of Oxide Film
2. Uses of Oxide Film / Oxidant Layering application
3. Chemical reaction & Growth Model
4. Dry, Wet Oxidation Growth & Rate of Growth
5. Oxide-Silicon Interface
6. Oxidation Processing & Furnace Equipment
7. Recently work
+ References

본문내용

4. Dopant Barrier

- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능

5. 금속층 사이의 유전체

- SiO2의 부도체 성질로 부터 집적회로내 금속층
사이의 효과적인 절연체로 사용가능
- 오염물질의 확산을 최소화

자연 산화물 – 오염물질이 대부분. (기억저장 공간이나 막 안정화용 사용)

게이트 산화물 – 트랜지스터의 게이트와 소스/드레인의 유전체로 사용

자계 산화물 – 개별적인 트랜지스터들 사이에서 절연 장벽의 역할

4. Barrier 산화물 – 소자와 실리콘을 보호

패드 산화물, 주입막 산화물 등

변수 : 온도, 압력, 건식과 습식, silicon의 결정방위, 도핑 준위

Model : Deal & Grove의 선형-포물선 모델 의 성장

150Å까지는 선형적인 산화층의 성장

X = (B/A)t

X : 성장 산화물의 Thickness
B/A : 선형 비례 상수
T : 성장시간

150Å이후는 포물선식 산화층의 성장

X = (Bt)1/2

X = 산화물의 성장 Thickness
B : 포물선 속도 상수
T : 성장시간

참고문헌

Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology.
Yoshio Nishi, Robert Doering

K. H. A. Bogart, S. K. Ramirez, L. A. Campuzano, G. R. Bogart, and E. R. Fisher J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3175-3184 (1998).

Semiconductor Manufacturing Technology, Michael Quirk-Julian Serda

F. Wooten, K. Winer, and D. Wearie, Phys. Rev. Lett. 54, 1392 (1985).

Y. Tu, J. Tersoff, G. Grinstein and D. Vanderbilt, Phys. Rev. Lett. 81, 4899 (1998).

Y. Tu and J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 84, 4393 (2000).

J. Phys. Chem. B, 109 (1), 151 -154, 2005
Jun Zhang,* Lide Zhang, Feihong Jiang, Yongdong Yang, and Jianping Li

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