[화학공학]phosphorus-doped ZnO nanowires 성장 및 광학특성(영문)

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레포트 > 공학계열
2010.08.20
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소개글

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1.Introduction

2.Experimental

3.Results and discussion

4.Conclusions

본문내용

ZnO nanowires have attracted increasing interest due to its potential applications in electronics and optoelectronics

p-type doping of ZnO has a high concentration of nitrogen and a low-defect density

We demonstrate a versatile growth technique to synthesize phosphorus-doped ZnO (ZnO:P) nanowires in
a reproducible way

ZnO:P nanowires are synthesized via a vapor transport process based on a single source precursor, Zn3P2

The temperature at the source boat and the substrate were controlled at 500 C and 800 C

An alumina boat and a Si substrate were placed in a small quartz tube, separated typically by 7–10 cm.

This small quartz tube was then placed inside a horizontal tube furnace
ZnO nanocrystals were prepared by a chemical solution deposition (CSD)

The 0.75M precursor solution was deposited onto the Si substrate by spin coating

The as-deposited films were then preheated on a hotplate at 300 C for 10 min. Finally the sample was annealed at 500 C for 1 h.

ZnO powder and graphite powder were ground together
and loaded into an alumina boat

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