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[자연과학] 박막트랜지스터(TFT) 공정 설계 및 특성 평가

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레포트 > 공학계열
2011.01.18
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소개글

[자연과학] 박막트랜지스터(TFT) 공정 설계 및 특성 평가에 대한 자료입니다.

1.Flexible 소자 -
2.Thin Film Transistor –
3.ZnO -
4.실험 방법, 결과 및 결론
5.참고 문헌

본문내용

플렉시블 소자는
차세대 전자산업의 성패를 좌우

소형 모바일 디스플레이에 우선 적용

플렉시블 디스플레이의 대면적 기술 확보

새로운 분야로의 응용

TFT의 구조가 간단해짐

가시광 영역에서의 투명도 향상

기존 트랜지스터에 비해
전자이동도10배 향상

낮은 온도에서 트랜지스터
제작 가능

생산원가가 비교적 낮음

화학적 안정성, 물리적으로 안정

참고문헌

참고문헌

[1] C. R. Gorla, N. W. Emanetoglu, S. Liang, W. E Mayo, and H. Shen, "Structural, optical, and surface acoustic wave properties of epitaxial ZnO films", J. Appl. Phys., Vol 85, No.5, p.2595, 1999
[2] Bae H. S. and Yoon M. H., "Photodetecting properties of ZnO-based thin film transistors", Appl. Phys. Lett,. Vol 83, No. 25, p. 5313, 2003.
[3] B. Y. Oh, M. C. Jeong, M. H. Ham, and J. M. Myoung, " Effects of the channel thickness on structural and electrical characteristics of room- temperature fabricated
[4] R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. - 5 - Wager, "ZnO-based transparent thin film transistors". Appl. Phys. Lett, Vol 82, No. 5, p. 735, 2003
[5] Y. K. Moon, D. Y. Moon, S. Lee, S. H. Lee, and J. W. Park, "Effects of oxygen contents in the active channel layer on electrical characteristics of ZnO-based thin film transistors", J. Vac, Sci. Technol. B, Vol. 26, No. 4, p. 1472, 2008.
[6] 김한기, 이지면, “산화아연 반도체의 광전소자 응용을 의한 오믹접합 기술 개발동향”, 전기 전자재료, 21권, 2호, p. 15, 2008
[7] 조신호, “O2/Ar 혼합 유량비를 변수로 갖는 라디오파 마그네트론 스퍼터링으로 성장된 ZnO 박막의 특성”, 전기전자재료학회논문지,20권, 11호, p. 932, 2007

#자연과학 #박막트랜지스터 #공정 #특성 #TFT

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