[전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석

 1  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-1
 2  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-2
 3  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-3
 4  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-4
 5  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-5
 6  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-6
 7  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-7
 8  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-8
 9  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-9
 10  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-10
 11  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-11
 12  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-12
 13  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-13
 14  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-14
 15  [전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-15
※ 미리보기 이미지는 최대 20페이지까지만 지원합니다.
  • 분야
  • 등록일
  • 페이지/형식
  • 구매가격
  • 적립금
자료 다운로드  네이버 로그인
소개글
[전자재료실험] MOS Capacitor 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석에 대한 자료입니다.
목차
목 차

1. 실험목적

2. 실험배경

3. 실험이론

① Capacitor(커패시터)

② MOS Capacitor 의 구조와 원리

③ PVD(Physical Vapor Deposition)

4. 실험장비

① E-Beam Evaporator

② Thermal Evaporator

③ 프로브 스테이션

④ RTA : Rapid Thermal Annealer

5. 실험방법

① Preparing

② Cleaning: wafer표면에 유기물, 금속, particle등으로 인한 오염물 제거

③ SiO2 증착 (E-beam evaporator)

④ Metal 증착 (Thermal evaporator)

⑤ 열처리(Rapid Thermal annealing)

⑥ 반대전극 형성

⑦ Analyzing

6. 실험결과분석

1) 이상적인 실험 결과

① 저주파와 고주파의 차이

② 열처리 후 C-V, I-V 그래프의 변화

2) 실험결과

3) 오차의 원인

① Wafer cleaning의 부족

② E-beam Evaporator 사용에 따른 오차원인

7. 참고문헌


본문내용
4. 실험장비

① E-Beam Evaporator

PVD(Physical vapor deposition)의 한 방법으로 전자빔을 이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여기에 의해 방출된 열전자들은 ingot 형태의 증착시키고자하는 재료(ingot feeder)에 충돌한다. 열전자의 높은 에너지 때문에 ingot은 증발하게 되고 이것이 다시 기판위에 증착된다. 이 과정은 모두 진공펌프에 의해 UHV(Ultra High Vacuum)에서 이루어진다. ingot의 양에 증착되는 film의 양을 control 할 수 있으며 열전자를 사용하기 때문에 융점이 높은 물질도 쉽게 증착 할 수 있는 장점이 있다.


electron beam
To Vacuum Pumps
vapor stream
substrate holder
Three Ingot Feeders
Four Independent
ion Sources
To Vacuum Pumps
electron gun
그림2. E-beam장치의 구조도

② Thermal Evaporator

각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막 증착시에는 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하며 3, 4 인치 웨이퍼를 비롯하여 여러 가지 시편 위에 박막 증착이 가능하다. 고진공에 놓은 용기 속에서 증착될 물체와 그 표면에 부착시키려는 금속 등의 입자를 넣어 둔 다음, 히터에 전류를 흘러서 가열함으로써 그 금속 입자를 증발시키면 차가운 물체 표면에 응축해서 부착하는 것을 이용하여 붙이는 방식이다. 이 때 시료를 가열하는 부분인 증발원의 재료로는 W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Ta(탄탈) 등이 쓰인다. 증발원에 전류를 흘려보내면 저항에 의해 가열이 되는데 이때 시료는 녹게 되고 결국
참고문헌
7. 참고문헌

● 고체전자공학 제6판, 벤스트리트만, p288-p309 (Primary reference)

● 열처리 조건에 따른 HfO2/Hf/Si 박막의 MOS 커패시티 특성, 이대감, 도승우 외 3명, 경북대학교, 위덕대학교 (MOS Capacitor)

● WIKIPEDIA The Free Encyclopedia (ALD)

● www.tectra.de E-Beam Evaporator Manual, Ver. 2.2, 한만희, 이강원
(E-Beam Evaporator)

● 금속 열처리 장치를 이용한 실리콘 산화막의 Annealing 효과, 박현우, 장현룡, 황호정, 중앙대학교 전자공학과 (열처리 효과_

● 그 외의 참고문헌

- http://npl.postech.ac.kr/?mid=topic_nanopattern
- Nanodevice Laboratory Hyungjun Kim's Research Group -Nano Deposition
- http://www.icmm.csic.es/fis/english/evaporacion.html
- http://en.wikipedia.org/wiki/Evaporation_(deposition)