[신소재공학] 박막 가공 설계

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소개글
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목차

1. ITO

1.1. ITO 투명 전극

1.2. 재료가 사용된 이유

1.3. 사용된 소재

1.3.1. 조성

1.3.2. Bulk 상태의 물성

1.4. 박막으로 가공된 상태의 두께, 조성, 미세구조

1.4.1. 두께

1.4.2. 조성

1.4.3. 미세 구조

1.5. 박막의 가공에 적용된 기술

1.6. Processing parameter

1.6.1. DC Sputtering으로 ITO 박막 형성 시

1.6.2. RF Sputtering으로 ITO 박막 형성 시

1.7. Alternative processing technology

1.7.1. Ion-Beam Assistant

1.7.2. Magnetron

1.7.3. E-beam Evaporation

1.8. 신기술과의 비교 및 최적 방법 도출

2. 반사 방지 필름

2.1. 휴대폰에 사용되는 반사 방지 필름

2.2. 재료가 사용된 이유

2.3. 사용된 소재

2.3.1. MgF2

2.3.2. SiO2

2.3.3. TiO2

2.4. 박막으로 가공된 상태의 두께, 조성, 미세구조

2.5. 박막의 가공에 적용된 기술

2.6. Processing Parameter

2.7. Alternative Processing Parameter

2.8. 신기술과의 경제성, 환경친화성 등 비 기술적 요인을 고려하여 비교

2.9. 반사 방지(AR/LR) 필름의 시장동향

2.9.1. 세계 시장규모 추이

2.9.2. 연구개발 기술동향

2.9.3. 향후 동향

3. 전자파 차폐

3.1. 전자파 차폐 코팅

3.1.1. 전자파 차폐

3.1.2. 전자파 차폐 방법

3.2. 재료가 사용된 이유

3.3. 사용된 소재

3.4. 박막으로 가공된 상태의 두께, 조성, 미세구조

3.5. 박막의 가공에 적용된 기술

3.6. Processing Parameter

3.7. Alternative Processing Parameter

3.8. 신기술과의 경제성, 환경친화성 등 비 기술적 요인을 고려하여 비교

4. 참고 문헌


본문내용
1.2. 재료가 사용된 이유
투명 전도막(TCO : Transparent Conductive Oxide)이란, 가시광 영역에서 광 투과율이 우수해야 하고, 높은 전기전도도와 적절한 에칭 특성을 지녀야 한다. ITO는 가시광선 영역 (400nm ~ 700nm)에서 80%정도의 투과도를 가지며 optical band gap이 3.55eV를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은 투과도를 가지는 특징이 있다. ITO 박막은 In2O3에 Sn을 10% 정도 포함한 n-type 반도체 재료로서 다른 투명 박막에 비하여 Sn의 첨가로 인한 매우 낮은 전기저항과 안정성 때문에 사용되어 지고 있다. 비저항이 1 × 10-3Ώ/cm이하, 면 저항이 103Ώ/sq 이하로 전기전도성이 우수하다. 그리고 ITO가 도포된 유리기판상의 각 화소를 포토리소그래피 공정으로 TFT(박막 트랜지스터)를 제조해야 하기 때문에 적절한 에칭 특성을 가져야 하는데 ITO가 다른 어떤 재료 보다 에칭 특성을 만족시킨다. ITO는 태양전지, 액정 셀, 가스 센서 등 이미 많은 분야에 사용되고 있다. 특히 LCD등의 평판 디스플레이의 화소 전극 및 공통 전극으로서, 디스플레이 내에 전극으로 사용되어 액정의 극성 성질을 유도하기 위한 전기장을 형성하는 투명전극 역할을 하고 있다.

참고문헌
- 스퍼터링 방법으로 제작된 ITO박막의 물성 연구/ 2001/ 울산대학교/ 김동식

- D.C. 반응성 마그네트론 스퍼터법으로 제조된 ITO 박막의 성장과 전극특성/ 2006/ 순천향대학교/ 최용락

- 메탈파우더의 전자파차폐 특성분석 및 흡수시트제조/ 2010/ 계명대학교/ 채성정

- 전자파차폐 코팅재의 특허동향/ 2003/ 한국특허정보원/ 이동혁