소개글
MOS Capacitor SiO2 산화층 두께가 Capacitor 에 미치는 영향에 대한 자료입니다.
목차
1.Purpose
2.Procedure
3.Result
4.Discussion
5.Reference
6.Q & A
본문내용
C-V 그래프와 I-V 그래프를 분석하여
산화층의 두께가 capacitor에 어떤 영향을 미치는지 알아본다.
C-V graph에서의 변수
진동수 : 일정한 두께에서 진동수: 10Hz 1KHz 1MHz
두께 : 일정한 진동수에서 두께: 100 200 300 nm
I-V graph에서의 변수
두께 : 다른 조건은 고정시키고 두께를 100 200 300 nm
3. SiO2를 증착
(Thermal & E-beam Evaporator)
진공을 뽑아주는 이유
E-beam evaporator의 원리
NiCr 먼저 쌓고 다음에 Au쌓는 이유
negative oxide층이란?
실버페이스트의 경화조건
진동수 변화에 따른 C-Vgraph
: 수명에 따라 다양한 graph 존재
high frequency 인 경우 경향이 없다.
low frequency 인 경우 peak가 보인다.
두께 변화에
따른 C-V graph
(k=유전상수, A=단면적, d=두께)
d와 C는 반비례 한다.
참고문헌
- 고체전자공학 6판 '벤 스트리트만'
- 이후정교수님‘반도체공학개론’강의자료
* 진공
- http://blog.naver.com/ps_999?Redirect=Log&logNo=90031481433
- http://blog.naver.com/lastscene00?Redirect=Log&logNo=60117700677
* E-BEAM
- http://www.docstoc.com/docs/21091153/E-beam-Evaporator-Manual
* NiCr과 Au
- Electronic materials and processes handbook (공)저: Charles A. Harper p.8.66
- Processing of wide band gap semiconductors (공)저: S. J. Pearton
- SiC Materials and Devices. Volume 1 Selected Topics in Electronics and Systems ; V. 40
by Shur, Michael. Rumyantsev, Sergey L. Levinshtein, M. E.
- Thin film technology handbook (공)저: Aicha Elshabini-Riad,Fred D. Barlow chapter5 p.8-9
* Deep depletion
- Comprehensive study on the deep depletion capacitance-voltage behavior for metal-oxide-semiconductor capacitor with ultrathin oxides, Cheng, Jen-Yuan; Huang, Chiao-Ti; Hwu, Jenn–Gwo, Journal of Applied Physics ,Oct2009 Volume 106 Issue 7 Pages