RF CMOS 반도체 분야의 보안점

 1  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-1
 2  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-2
 3  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-3
 4  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-4
 5  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-5
 6  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-6
 7  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-7
 8  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-8
 9  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-9
 10  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-10
 11  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-11
 12  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-12
 13  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-13
 14  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-14
 15  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-15
 16  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-16
 17  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-17
 18  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-18
 19  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-19
 20  RF CMOS 반도체 분야의 보안점-20
※ 미리보기 이미지는 최대 20페이지까지만 지원합니다.
  • 분야
  • 등록일
  • 페이지/형식
  • 구매가격
  • 적립금
자료 다운로드  네이버 로그인
소개글
RF CMOS 반도체 분야의 보안점에 대한 자료입니다.
목차
1. 산업 특성...............................................................................................1
2. 시장 동향 분석.....................................................................................2
2.1 국내 산업의 기술․경제적 위치...........................................................2
2.2 RF분야의 세계 시장 규모 분석.........................................................3
2.3 향후시장 전망....................................................................................4
3. 연구개발 인프라 분석(국내 제조업체 현황 및 연구기반 현황).............5
3.1 기업규모 현황......................................................................................5
3.2 정부지원 정책 현황.............................................................................5
3.2.1 관련법령 및 규제현황................................................................5
3.2.2 정부지원 정책사업 종류와 현황....................................................6
3.3 향후 산업동향과 정책방향....................................................................6
4. 기술동향..................................................................................................7
4.1 국내 RF 핵심 부품 기술 개발 동향.....................................................7
4.2 세계 RF 핵심 부품 기술 개발 동향...................................................13
4.3 시사점..............................................................................................20
5. 결론.......................................................................................................20
5.1 기술성..............................................................................................20
5.2 사업성..............................................................................................21
5.3 전략성..............................................................................................21
5.4 현실성..............................................................................................21
6.참고문헌.................................................................................................21

본문내용
1. 산업 특성
RF는 Radio Frequency의 약자로서 무선통신이 이용되는 고주파대역을 일컫는 말이다. 최근 반도체에서 이 분야가 최고의 화두로 자리 잡은 원인은 유비쿼터스 기술이 무선 통신 기술을 기반으로 하고 있고, 고주파 광대역에서 사용되는 반도체 Chip이 앞으로 나오게 될 모든 기기의 전파 송.수신단에 들어가 작동할 것이기 때문이다. RF CMOS기술은 반도체 기술의 하나로서 주로 이 송.수신단의 안테나, 저잡음 증폭기, Mixer, VCO등을 기존에 사용되고 있던 BJT로 제작하는 것이 아닌 CMOS로 모두 대체하는 것을 뜻한다. 만일 이와 같이 BJT를 CMOS로 대체 하였을 때, 얻을 수 있는 이점은 송.수신단의 SoC가 가능하다는 점이다. 현재 송.수신단의 고주파 회로에 사용되고 있는 BJT는 CMOS에 비해 더 고주파, 광대역에서도 동작하고 동작 특성이 좋지만, 부품 크기가 크고 가격도 비싸고, 무엇보다 저주파단의 CMOS와 연결하는 공정을 사용해야 하며 기기의 저전력화, 소형화에 불리하다는 단점을 안고 있다.
참고문헌
[1] IC Insights, Inc., The McClean Report 2005 Edition
[2] KISA, 반도체 산업 정보 중 “반도체 시장 동향”, 2003.09.19
[3] 김진태, Sanfransico, “Wireless LAN (WLAN)의 현황과 전망”
[4] (주)GIS Enrapport, Weekly Report, “Bluetooth 기술 및 시장동향”
[5] In-Stat/MDR, Worldwide Semiconductor Forecast, 2003.04
[6] S. Lee and H. K. Yu, Determining non-quasi-static small-signal equivalent circuit of a RF silicon MOSFET, Solid State Electronics, vol. 45, no. 2 pp. 359-364, 2001.
[7] S. Lee and H. K. Yu, A semianalytical parameter extraction of a SPICE BSIM3v3 for RF MOSFETs using S-parameters, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol.48, no. 3, pp. 412-416, 2000.
[8] S. Lee, C. S. Kim, and H. K. Yu, Improved BSIM3v3 model for RF MOSFET IC simulation, Electronics Letters, vol. 36, no. 21, pp. 1818-1819, 2000.