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산화막 CMP에서 세리아 연마입자의 마찰특성 -
분야 공학 > 기계공학
저자 김영진 박범영 정해도
발행기관 한국기계가공학회
간행물정보 한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집 2008년, 한국기계가공학회 2008년도 춘계학술대회 논문집, 125page~128page(총4page)
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목차
부제 : Frictional Characteristic of Ceria Abrasive in Oxide CMP
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
 
 
영문초록
Oxide Chemical Mechanical Polishing(CMP) using ceria slurry was investigated through the friction force monitoring in this paper. CMP performed by the down force and the relative motion of pad and wafer with slurry. During CMP process, the frictional signals were obtained by a force sensor which was installed in polisher. Friction force was analyzed according to abrasive concentration of the slurry and polishing run without conditioning. The friction force of ceria-based slurry increased during polishing time, and gradually became constant. The coefficient of friction also increased with the increase of abrasive concentration. As a result, the increase of the friction force is due to the increase of abrasive particles during CMP. Moreover, the COF increased during CMP without conditioning because abrasive particles was accumulated on the pad surface, which can lead to high removal rate. In addition, the glazing of pad surface affected the contact condition between abrasive particles and oxide film. These results were verified through the analysis of EDX data and SEM image of pad surface.
 
 
Chemical Mechanical Polishing(기계화학적연마), Ceria abrasive(CeO₂입자), Friction force(마찰력), Coefficient of friction(마찰계수)
 
 
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