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Stimulated Emission with 349-nm Wavelength in GaN/AlGaN MQWs by Optical Pumping -
분야 자연과학 > 기타(자연과학)
저자 Sung-Bock Kim Sung-Bum Bae Young-Ho Ko Dong Churl Kim Eun-Soo Nam
발행기관 한국진공학회
간행물정보 한국진공학회지 2017년, Applied Science and Convergence Technology Vol.26 No.4, 79page~85page(총7page)
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목차
부제 :
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusions
References
 
 
영문초록
The crack-free AlGaN template has been successfully grown by using selective area growth with triangular GaN facet. The triangular GaN stripe structure was obtained by vertical growth rate enhanced mode with low growth temperature of 950℃ and high growth pressure of 500 torr. The lateral growth rate enhanced mode of AlGaN for crackfree and flat surface was also investigated. Low pressure of 30 torr and high V/III ratio of 4400 were favorable for lateral growth of AlGaN. It was confirmed that the 4 μm -thick Al0.2Ga0.8N was crack-free over entire 2-inch wafer. The dislocation density of Al0.2Ga0.8N was as low as ~7.6 × 108 /cm2 measured by cathodoluminescence. Based on the high quality AlGaN with low dislocation density, the ultraviolet laser diode epitaxy with cladding, waveguide and GaN/AlGaN multiple quantum well (MQW) was grown by metalorganic chemical vapor deposition. The stimulated emission at 349 nm with full width at half maximum of 1.8 nm from the MQW was observed through optical pumping experiment with 193 nm KrF laser. We also have fabricated the deep ridge type ultraviolet laser diode (UV-LD) with 5 μm-wide and 700 μm-long cavity for electrical properties. The turn on voltage was below 5 V and the resistance was ~55 Ω at applied voltage of 10 V. The amplified spontaneous emission spectrum of UV-LD was also observed from pulsed current injection.
 
 
Selective area growth, Dislocation density, Stimulated emission, Ultraviolet laser diode, Amplified spontaneous emission, Crack-free AlGaN
 
 
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