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Si 및 SrTiO₃ 기판 위에 증착된 Bi₄Ti₃O12 박막의 결정구조 및 배향에 따른 강유전 특성 -
분야 공학 > 전기공학
저자 이명복
발행기관 대한전기학회
간행물정보 전기학회논문지 2018년, 전기학회논문지 제67권 제4호, 543page~548page(총6page)
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목차
부제 : Ferroelectric Properties of Bi₄Ti₃O12 Thin Films Deposited on Si and SrTiO₃ Substrates According to Crystal Structure and Orientation
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
 
 
영문초록
Ferroelectric Bi₄Ti₃O12 films were deposited on SrTiO₃(100) and Si(100) substrate by using conductive SrRuO3 films as underlayer, and their ferroelectric and electrical properties were investigated depending on crystal structure and orientation. C-axis oriented Bi₄Ti₃O12 films were grown on well lattice-matched pseudo-cubic SrRuO3 films deposited on SrTiO₃(100) substrate, while random-oriented polycrystalline Bi₄Ti₃O12 films were grown on SrRuO3 films deposited on Si(100) substrate. The random-oriented polycrystalline film showed a good ferroelectric hysteresis property with remanent polarization (Pr) of 9.4 μC/㎠ and coercive field (Ec) of 84.9 ㎸/㎝, while the c-axis oriented film showed Pr=0.64 μC/㎠ and Ec=47 ㎸/㎝ in polarizaion vs electric field curve. The c-axis oriented Bi₄Ti₃O12 film showed a dielectric constant of about 150 and lower thickness dependence in dielectric constant compared to the random-oriented film. Furthermore, the c-axis oriented Bi₄Ti₃O12 film showed leakage current lower than that of the polycrystalline film. The difference of ferroelectric properties in two films was explained from the viewpoint of depolarization effect due to orientation of spontaneous polarization and layered crystal structure of bismuth-base ferroelectric oxide.
 
 
Ferroelectric oxide, Pulsed laser deposition, Coercive field, Bi₄Ti₃O12, Remanent polarization
 
 
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