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SIMS를 이용한 SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si 및 SiO₂/TEOS/SiO₂/Al-1%Si 적층 박막내의 Na 게터링 분석 -
분야 공학 > 고분자공학
저자 김진영
발행기관 한국표면공학회
간행물정보 한국표면공학회지 2018년, 한국표면공학회지 제51권 제2호, 110page~115page(총6page)
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목차
부제 : Analysis of the Na Gettering in SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si and SiO₂/TEOS/SiO₂/Al-1%Si Multilevel Thin Films using SIMS
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
 
 
영문초록
The Na low temperature gettering in SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si and SiO₂/TEOS/SiO₂/Al-1%Si multilevel thin films was investigated using dynamic SIMS(secondary ion mass spectrometry) analysis. DC magnetron sputter, APCVD and PECVD techniques were utilized for the deposition of Al-1%Si thin films, SiO₂/PSG/SiO₂ and SiO₂/TEOS/SiO₂ passivations, respectively. Heat treatment was carried out at 300℃ for 5 h in air. SIMS depth profiling was used to determine the distribution of Na, Al, Si and other elements throughout the SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si and SiO2/TEOS/SiO2/Al-1%Si multilevel thin films. XPS was used to analyze chemical states of Si and O elements in SiO₂ passivation layers. Na peaks were observed throughout the PSG/SiO₂ and TEOS/SiO₂ passivation layers on the Al-1%Si thin films and especially at the interfaces. Na low temperature gettering in SiO₂/PSG/SiO₂/Al-1%Si and SiO₂/TEOS/SiO₂/Al-1%Si multilevel thin films is considered to be caused by a segregation type of gettering.
 
 
Na, gettering, passivation, dynamic SIMS
 
 
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