HOME > 공학 > 고분자공학 > 한국표면공학회 > 한국표면공학회지
RF 마그네트론 스퍼터링법으로 제조한 SnS 박막의 구조적 및 광학적 특성 -
분야 공학 > 고분자공학
저자 황동현
발행기관 한국표면공학회
간행물정보 한국표면공학회지 2018년, 한국표면공학회지 제51권 제2호, 126page~132page(총7page)
파일형식 3468274 [다운로드 무료 PDF 뷰어]
판매가격 6,000원
적립금 180원 (구매자료 3% 적립)
이 자료를
논문의 미리보기 2페이지를 PDF파일로 제공합니다.
 
연관 논문
γ-FIB 시스템을 이용한 산소 유량 변화에 따른 산화인듐주석 박막의 특성 연구 -
CuInSe2 단일전구체에서 스퍼터링된 박막의 광학적, 구조적 및 전기적 특성평가 -
펄스 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의한 ZnO:Al 박막 증착시 펄스 주파수의 영향 -
후열처리에 따른 ZnO:Al 투명전도막 특성 변화 및 HCl 식각 특성 분석 -
스퍼터링 증착변수에 따른 n-i-p 플렉서블 실리콘 박막 태양전지용 ZnO/Ag 후면전극의 물성 변화 -
 
 
목차
부제 : Structural and Optical Properties of SnS Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
 
 
영문초록
SnS thin films with different substrate temperatures (150 ~ 300℃) as process parameters were grown on soda-lime glass substrates by RF magnetron sputtering. The effects of substrate temperature on the structural and optical properties of SnS thin films were investigated by X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy (Raman), field-emission scanning electron microscopy (FESEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), and Ultraviolet-visible-near infrared spectrophotometer (UV-Vis-NIR). All of the SnS thin films prepared at various substrate temperatures were polycrystalline orthorhombic structures with (111) planes preferentially oriented. The diffraction intensity of the (111) plane and the crystallite size were improved with increasing substrate temperature. The three major peaks (189, 222, 289 cm-1) identified in Raman were exactly the same as the Raman spectra of monocrystalline SnS. From the XRD and Raman results, it was confirmed that all of the SnS thin films were formed into a single SnS phase without impurity phases such as SnS₂ and Sn₂S₃. In the optical transmittance spectrum, the critical wavelength of the absorption edge shifted to the long wavelength region as the substrate temperature increased. The optical bandgap was 1.67 eV at the substrate temperature of 150℃, 1.57 eV at 200oC, 1.50 eV at 250℃, and 1.44 eV at 300℃.
 
 
Substrate temperature, Solar cell, SnS thin film, Absorber layer, RF Magnetron sputtering
 
 
도움말
본 논문은 참고용 논문으로 수정 및 텍스트 복사가 되지 않습니다.
 
 
추천자료
[화학공학]Ge RF sputtering power에 의한 zn2GeO4 박막의 구조적, 광학적 특성(영문)
공학 - 스퍼터링에 대하여
[신소재공학] 박막 가공 설계
공학 - 플라즈마에 관해서[정의, ICP, CCP, 스퍼터링(sputtering)]
실소재실험 레포트
나노 테크놀로지 - 나노재료의 특성및 활용범위에 대해서
thin film[박막]에 대한 정의와 제조방법 정리
[나노 테크놀로지] 나노리뷰 - 나노기술은 무엇이며, 나노재료의 특성 및 활용범위에 대해서
기계재료 - 나노기술[나노기술은 무엇이며, 나노재료의 특성및 활용범위에 대해서]
[정보통신] 차세대 DVD 블루레이와 HDDVD
오늘 본 자료
오늘 본 자료가 없습니다.
장바구니 담은 자료
장바구니가 비어 있습니다.
이 간행물 인기자료
졸-겔법에 의한 나노크기의 티탄-콜로...
鉄鋼의 인산염 피막처리 기술 -
연마재의 종류와 그 특성 -
미세 전극 패턴을 갖는 알루미나 정전...
보문 / 유전자 조작 , 균주분리 : 전...
이 간행물 신규자료
Solution Plasma Synthesis of BNC Na...
전기화학적 프로세스에 의한 아라고나...
시화호 환경 변화에 따른 강재 표면의...
치과용 세라믹 임플란트 지대주의 기...
디스플레이 유리의 눈부심 방지 표면...
저작권 정보
본 학술논문은 ㈜누리미디어와 각 학회간에 저작권 계약이 체결된 것으로 HAPPY학술이 제공하고 있습니다. 본 저작물을 불법적으로 이용시는 법적인 제재가 가해질 수 있습니다.
 
서비스이용약관 | 개인정보취급방침 | E-mail 수집 거부 | 제휴 및 광고문의 | FAQ
이메일 무단 수집 거부
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나 그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며, 이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사처벌됨을 유념하시기 바랍니다. [게시일 2003년 4월 2일]