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TCAD 시뮬레이션을 이용한 다양한 변수에 따른 4H-SiC Trench MOSFET 특성 변화 연구 -
분야 자연과학 > 기타(자연과학)
저자 정지훈 서권상 김군호 이호준
발행기관 한국진공학회
간행물정보 한국진공학회 학술발표회초록집 2019년, 2019년 한국진공학회 (제56회 동계정기학술대회 초록집), 286page(총1page)
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목차
부제 :
 
 
Epi 두께, 정특성, 산화막 두께, P-well 채널 길이, 4H-SiC, Trench MOSFET
 
 
도움말
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