HOME > 자연과학 > 기타(자연과학) > 한국진공학회 > 한국진공학회 학술발표회초록집
The change of carrier selective characteristics and passivation of atomic layer deposited (ALD) TiO2 for Si solar cell by annealing condition -
분야 자연과학 > 기타(자연과학)
저자 조영준 장효식
발행기관 한국진공학회
간행물정보 한국진공학회 학술발표회초록집 2019년, 2019년 한국진공학회 (제56회 동계정기학술대회 초록집), 423page(총1page)
파일형식 3671894 [다운로드 무료 PDF 뷰어]
판매가격 1,000원
적립금 30원 (구매자료 3% 적립)
이 자료를
해당논문은 미리보기를 지원하지 않습니다.
 
연관 논문
실리콘 산화막의 두께에 따른 ALD Al2O3 박막의 passivation 효과 -
결정질 실리콘 태양전지 응용을 위한 PA-ALD를 이용한 Al2O3 특성 분석 -
A Novel Atomic Layer Deposited Al₂O₃ Film with Diluted NH₄OH for High-Efficient c-Si Solar Cell -
Atomic Layer Deposition of HfO₂ Films on Ge -
논문 : 2003년도 한국센서학회 종합학술대회 발표 우수논문 ; ALD법을 이용해 증착된 TaN 박막의 Cu 확산방지 특성
 
 
목차
부제 :
 
 
solar cell, TiO2, carrier selective, ALD, passivaiton
 
 
도움말
본 논문은 참고용 논문으로 수정 및 텍스트 복사가 되지 않습니다.
 
 
추천자료
[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석
[제조프로세스혁신] 그래핀을 이용한 염료감응형 태양전지
[[솔루션]] :: Lehninger Biochemistry 5edition[the foundations of Biochemistry]
열역학 솔루션(Thermodynamics: An Engineering Approach)7판
[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석
[신소재설계] Encapsulation을 통한 Oxide TFT의 신뢰성 개선
[박막공학] 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition,CVD)(친절한 설명과 핵심적인 내용을 논문 형식으로 작성)
[에너지공학] CuIn 비에 따른 CuInS2 박막의 특성에 관한 연구
TSP 부품기술 및 시장동향 조사자료
[반도체공정실험] Characteristic of MOS Capacitor from C-V graph
오늘 본 자료
오늘 본 자료가 없습니다.
장바구니 담은 자료
장바구니가 비어 있습니다.
이 간행물 인기자료
Double Layer (Wet/CVD SiO₂)의 Inte...
순수 플라즈마 멸균기에 대한 연구 -
진공밀폐 용해법으로 제조된 Laz...
Magnetron Sputter내 Plasma 분포 및 ...
고압력(0.5Torr-10Torr)에서의 스퍼터...
이 간행물 신규자료
결정립, 버퍼층 및 후면 반사층 이용...
Surface passivation by atomic layer...
낮은 GWP를 갖는 C5F8가스를 이용한 ...
Antisolvent temperature control der...
Highly transparent and stable coppe...
저작권 정보
본 학술논문은 ㈜누리미디어와 각 학회간에 저작권 계약이 체결된 것으로 HAPPY학술이 제공하고 있습니다. 본 저작물을 불법적으로 이용시는 법적인 제재가 가해질 수 있습니다.
 
서비스이용약관 | 개인정보취급방침 | E-mail 수집 거부 | 제휴 및 광고문의 | FAQ
이메일 무단 수집 거부
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나 그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며, 이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사처벌됨을 유념하시기 바랍니다. [게시일 2003년 4월 2일]