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논문 : 2003년도 한국센서학회 종합학술대회 발표 우수논문 ; 고온용 실리콘 압력센서 개발
분야 공학 > 기계공학
저자 김미목 ( Mi Mok Kim ) , 남태철 ( Tae Chul Nam ) , 이영태 ( Young Tae Lee )
발행기관 한국센서학회
간행물정보 센서학회지 2004년, 제13권 제3호, 175~181쪽(총7쪽)
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영문초록
A pressure sensor for high temperature was fabricated by using a SDB(Silicon-Direct-Bonding) wafer with a Si/SiO2/ Si structure. High pressure sensitivity was shown from the sensor using a single crystal silicon of the first layer as a piezoresistive layer. It also was made feasible to use under the high temperature as of over 120℃, which is generally known as the critical temperature for the general silicon sensor, by isolating the piezoresistive layer dielectrically and thermally from the silicon substrate with a silicon dioxide layer of the second layer. The pressure sensor fabricated in this research showed very high sensitivity as of 183.61iV/V kPa, and its characteristics also showed an excellent linearity with low hysteresis. This sensor was usable up to the high temperature range of 300℃.
 
 
pressure sensor, high temperature, silicon, SDB
 
 
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