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논문 : 2003년도 한국센서학회 종합학술대회 발표 우수논문 ; PECVD에 의한 비정질 불화탄소막의 증착 및 특성분석
분야 공학 > 기계공학
저자 김호운 ( Ho Woon Kim ) , 신장규 ( Jang Kyoo Shin ) , 권대혁 ( Dae Hyuk Kwon ) , 서화일 ( Hwa Il Seo )
발행기관 한국센서학회
간행물정보 센서학회지 2004년, 제13권 제3호, 182~187쪽(총6쪽)
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영문초록
The fluorinated amorphous carbon thin films (a-C:F) were deposited by PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition). The precursors were C₄F_(8) which had a similar ratio of target film`s carbon to fluorine ratio, and Si₂H_(6)/He for capturing excessive fluorine ion. We varied deposition condition of temperature and working pressure to survey the effect of each changes. We measured dielectric constant, composition, and etc. At low temperature the film adhesion to substrate was very poor although the growth rate was very high, the growth rate was very low at high temperature. The EDS(energy dispersive spectroscopy) result showed carbon and fluorine peak for films and Si peak for substrate. There was no oxygen peak.
 
 
PECVD, a-C:F, C4F8, Si2H6
 
 
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