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논문 : 2003년도 한국센서학회 종합학술대회 발표 우수논문 ; ALD법을 이용해 증착된 TaN 박막의 Cu 확산방지 특성
분야 공학 > 기계공학
저자 나경일 ( Kyoung Il Na ) , 허원녕 ( Won Nyung Hur ) , 부성은 ( Sung Eun Boo ) , 이정희 ( Jung Hee Lee )
발행기관 한국센서학회
간행물정보 센서학회지 2004년, 제13권 제3호, 195~198쪽(총4쪽)
파일형식 26400777.pdf [다운로드 무료 PDF 뷰어]
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영문초록
For a diffusion barrier against copper, tantalum nitride films have been deposited on SiO₂ by atomic layer deposition (ALD), using PEMAT(Pentakis(ethylmethylamino)tantalum) and NH, as precursors, Ar as purging gas. The deposition rate of TaN at substrate temperature 250℃ was about 0.67 A per one cycle. The stability of TaN films as a Cu diffsion barrier was tested by thermal annealing for 30 minutes in N2 ambient and characterized through XRD. sheet resistance, and C-V measurement(Cu(1000 Å)/TaN(50 Å)/SiO₂(2000 Å)/Si capacitor fabricated), which prove the TaN film maintains the barrier properties Cu below 400℃.
 
 
ALD, diffusion barrier, TaN, Tantalum Nitride
 
 
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