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Papers : Selected papers from International Sensor Conference 2003 ; Optoelectrical Properties of HgCdTe Epilayers Grown by Hot Wall Epitaxy
분야 공학 > 기계공학
저자 ( Suk Jin Yun ) , ( Kwang Joon Hong )
발행기관 한국센서학회
간행물정보 센서학회지 2004년, 제13권 제4호, 122~126쪽(총5쪽)
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영문초록
Hg_(1-x)Cd_(x)Te (MCT) was grown by hot wall epitaxy. Prior to. the MCT growth, the CdTe (111) buffer layer was grown on the GaAs substrate at the temperature of 590°C for 15 min. When the thickness of the CdTe buffer layer was 5μm or thicker, the full width at half maximum values obtained from the x-ray rocking curves were found to significantly decrease. After a good quality CdTe buffer layer was grown, the MCT epilayers were grown on the CdTe (111)/GaAs substrate at various temperatures in situ. The crystal quality for those epilayers was investigated by means of the x-ray rocking curves and the photocurrent experiment. The photoconductor characterization for the epilayers was also measured. The energy band gap of MCT was determined from the photocurrent measurement and the x composition rates from the temperature dependence of the energy band gap were turned out,
 
 
Hg(1-x)CdxTe, hot wall epitaxy, CdTe buffer layer, photocurrent, photoconductor
 
 
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