HOME > 공학 > 기계공학 > 한국센서학회 > 센서학회지
Papers : Selected papers from International Sensor Conference 2003 ; Optoelectrical Properties of HgCdTe Epilayers Grown by Hot Wall Epitaxy
분야 공학 > 기계공학
저자 ( Suk Jin Yun ) , ( Kwang Joon Hong )
발행기관 한국센서학회
간행물정보 센서학회지 2004년, 제13권 제4호, 122~126쪽(총5쪽)
파일형식 26400790.pdf [다운로드 무료 PDF 뷰어]
판매가격 4,000원
적립금 120원 (구매자료 3% 적립)
이 자료를
논문의 미리보기 2페이지를 PDF파일로 제공합니다.
 
연관 논문
Hot - Wall Epitaxy에 의한 CdTe(100) 박막의 성장과 광전류 특성 -
Hot - wall epitaxy에 의한 Zn - chalcogenide 에피층의 성장 및 구조적 특성 -
The Characterization of ZnSe / GaAs Epilayers Grown by Hot wall Epitaxy -
Structure and Photoluminescence of ZnS - ZnSe Superlattices Grown by Hot Wall Epitaxy -
Hot - wall epitaxy 방법에 의한 HgCdTe 박막 성장 -
 
 
영문초록
Hg_(1-x)Cd_(x)Te (MCT) was grown by hot wall epitaxy. Prior to. the MCT growth, the CdTe (111) buffer layer was grown on the GaAs substrate at the temperature of 590°C for 15 min. When the thickness of the CdTe buffer layer was 5μm or thicker, the full width at half maximum values obtained from the x-ray rocking curves were found to significantly decrease. After a good quality CdTe buffer layer was grown, the MCT epilayers were grown on the CdTe (111)/GaAs substrate at various temperatures in situ. The crystal quality for those epilayers was investigated by means of the x-ray rocking curves and the photocurrent experiment. The photoconductor characterization for the epilayers was also measured. The energy band gap of MCT was determined from the photocurrent measurement and the x composition rates from the temperature dependence of the energy band gap were turned out,
 
 
Hg(1-x)CdxTe, hot wall epitaxy, CdTe buffer layer, photocurrent, photoconductor
 
 
도움말
본 논문은 참고용 논문으로 수정 및 텍스트 복사가 되지 않습니다.
 
 
추천자료
[교양] 정보 인프라 관련 미국정부 논문
[생물] 항공소음이 동물에 미치는 영향
moype(화합 반도체)
[토익] 해커스 토익 예상문제(3년치분)
[공학실험] X선 회절 분석법을 이용한 미지시료 확인
[신소재공학실험] X선 회절 분석법을 이용한 미지시료 확인
Making Index implementation by red-black-tree Algorithms
[신소재공정] Single Crystal 단결성
[화학공학]Synthesis and Electronic properties of vertically aligned and hierarchical ZnO nanostructures(영문)
[신소재 연구설계] ALD(Atomic Layer Deposition)(영문)
오늘 본 자료
오늘 본 자료가 없습니다.
장바구니 담은 자료
장바구니가 비어 있습니다.
이 간행물 인기자료
센서 재료 및 제조공정 : 불순물 첨가...
무선센서네트워크 기반의 웨어러블 센...
2007년 한국센서학회 종합학술대회발...
논문 : MEMS 및 센서시스템 ; RF-MEMS...
센서 시스템 및 응용 : 옐로우와 사이...
이 간행물 신규자료
CMOS Image Sensor with Dual-Sensiti...
Fabrication of 1D Metal Oxide Nanos...
Design and Vibration Analysis of Tr...
Radial Electrical Impedance: A Pote...
소 동물 1H 1.5 T 자기공...
저작권 정보
본 학술논문은 한국학술정보㈜ 각 학회간에 저작권 계약이 체결된 것으로 HAPPY학술이 제공하고 있습니다. 본 저작물을 불법적으로 이용시는 법적인 제재가 가해질 수 있습니다.
 
회사소개 | 서비스이용약관 | 개인정보취급방침 | E-mail 수집 거부 | 제휴 및 광고문의 | FAQ
이메일 무단 수집 거부
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나 그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며, 이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사처벌됨을 유념하시기 바랍니다. [게시일 2003년 4월 2일]