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논문 : MEMS 및 센서시스템 ; 질화탄탈 박막형 스트레인 게이지의 제작과 특성
분야 공학 > 기계공학
저자 정귀상 ( Gwiy Sang Chung ) , 우형순 ( Hyung Soon Woo ) , 김순철 ( Sun Chul Kim ) , 홍대선 ( Dae Sun Hong )
발행기관 한국센서학회
간행물정보 센서학회지 2004년, 제13권 제4호, 148~153쪽(총6쪽)
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영문초록
This paper descibes on the characteristics of Ta-N(tantalum nitride) ceramic thin-film strain gauges which were deposited on Si substrates by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitrogen atmosphere (Ar-(4~16%)N₂) for high-temperature applications. These films were annealed in 2 x 10^(-6) Torr vacuum furnace at the range of 500~1000℃. Optimum deposition atmosphere and annealing temperature were determined at 900℃ for 1 hr. in 8% N₂ gas flow ratio. Under optimum formation conditions, the Ta-N thin-film for strain gauges was obtained a high-resistivity of 768.93 μΩ·cm, a low temperature coefficient of resistance (TCR) of -84 ppm/℃ and a good longitudinal gauge factor (GF) of 4.12.
 
 
Ta-N thin-film, strain gauge, resistivity, TCR, gauge factor
 
 
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