재구성 RF 회로 응용을 위한 다층유전체 박막을 이용한 고-가변형 커패시터
분야
공학 > 항공공학
저자
이영철 ( Young Chul Lee ) , 이백주 ( Baek Ju Lee ) , 고경현 ( Kyung Hyun Ko )
발행기관
한국항행학회
간행물정보
한국항행학회논문지 2012년, 제16권 제6호, 1038~1043페이지(총6페이지)
파일형식
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    국문초록
    본 연구에서는 재구성 RF 회로 설계 응용을 위해 BZN/BST/BZN 다층 유전체를 이용한 고-가변 커패시터를 설계 및 그 특성을 측정하였다. 고-가변 특성의 BST계 강유전체와 저-손실 특성의 BZN계 상유전체를 이용하여 47%의 가변성과 0.005의 tanδ값을 갖는 저-손실 고-가변 BZN/BST/BZN 다층 유전체를 제작하였다. 이 다층 유전체를 이용하여 quartz 기판 위에 327 x 642㎛2 크기로 제작된 가변 커패시터 칩은 15V의 인가전압과 800MHz 주파수에서 Q-factor가 10이고 60%의 가변율을 달성하였다.
    영문초록
    In this work, a high tunable capacitor using a multi-layer dielectric of BZN/BST/BZN is designed and characterized for reconfigurable RF applications. By utilizing a high tunable BST ferroelectric and a low-loss BZN paraelectric thin film, a multi-layer dielectric of BZN/BST/BZN obtained a tunability of 47% and tanδ of 0.005. The fabricated tunable capacitor on a quartz wafer using this multi-layer dielectric achieved a Q-factor of 10 and tunability of 60% at 800MHz and 15V. Its size is 327x 642㎛2.
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