1P-779 : 반도체/디스플레이 공정 챔버 세정가스 대체용 F3NO 가스 개발
분야
공학 > 화학공학
저자
강홍석 , 손은호 , 하종욱 , 소원욱 , 박인준 , 육신홍 , 이수복 , 곽정훈 , 전병호 , 박기선 , 권병향
발행기관
한국공업화학회
간행물정보
한국공업화학회 연구논문 초록집 2018년, 제2018권 275(총1페이지)
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    국문초록
    정부는 국가 온실가스 배출량을 2030년까지 BAU 대비 37% 감축할 계획을 수립하고 목표 달성을 위해 온실가스 배출권 거래제와 목표관리제가 시행되었다. 반도체 산업은 최고효율 감축기술(분해설비)이 기 적용되어 감축 한계에 봉착하였고, 교토 의정서에서 지정된 온실가스 외 NF3가 신규 온실가스로 선정 될 가능성이 매우 높다. NF3는 반도체, LCD 및 태양전지 제조공정 중 하나인 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정에서 Chamber 내부 벽의 잔류물을 제거하기 위한 용도로 사용하는 가스이다. 세계반도체 및 디스플레이 협회에서는 녹색지수관리를 통해 규제관리를 시작하였으며, 규제내용도 점점 강화되고 있는 추세이다. 그리고 국내업체가 NF3 세계생산량 50% 이상을 점유하고 있는 만큼, 국내에서는 NF3에 대한 규제 대응기술이 절실히 필요하다. 본 연구에서는 NF3의 대체가스로 매우 유력한 F3NO 제조기술 중 가장 유력한 SbF5/NF3/N2O 시스템을 이용한 F3NO합성 방법, 중간체 분석 방법 등에 대해 소개하고자 한다.
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