![[반응화학] 화학기상 증착-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0001.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0002.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0003.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0004.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0005.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0006.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0007.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0008.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0009.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0010.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0011.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0012.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0013.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0014.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0015.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-16](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0016.gif)
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![[반응화학] 화학기상 증착-18](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0018.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-19](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0019.gif)
![[반응화학] 화학기상 증착-20](http://images.happyhaksul.com/thumb/135/134115-0020.gif)
분야
hwp1) 박막 증착이란?
2. 본 론
1) CVD의 필요성과 원리
2) CVD종류와 특징 ➀ APCVD
➁ LPCVD(
➂ PECVD(Plasma Enhanced CVD)
➃ ALD
➄ OVPD(Organic Vapor Phase Deposition)
3) CVD 장비의 시장 경향
3. 결 론
반도체 공업은 현재의 전자 및 정보화 사회를 주도하고 있는 공업으로서 1960년대 집적회로(Integrated Circuit)가 개발된 이래 계속적으로 비약적인 성장을 거듭하면서 과거의 산업혁명에 버금가는 전자혁명시대를 이끌고 있다. 반도체 공업은 1950년 무렵 진공관을 주로 사용하던 과거의 전자소자를 반도체로 대체하면서 대두되기 시작하였다. 진공관을 반도체로 대체하면서 소자의 성능은 획기적으로 향상되어 더욱 작으면서도 값이 저렴하며 전력소모도 낮은 새로운 소자가 계속 등장하여 반도체 공업은 지속적인 발전을 거듭하고 있다.
반도체 공정 기술은 고집적도의 메모리나 아날로그, 논리형 디지털 집적회로 제작에 필요한 기초 기술일 뿐만 아니라, 마이크로 머신, 평판 디스플레이 등과 같은 다양한 소자의 제조에 그대로 적용될 수 있어서 그 응용범위가 점차 확대되고 있다.
특히 반도체 디바이스의 물성을 결정짓는 중요한 요소 중의 하나가 반도체 박막증착기술이며, 따라서 양질의 막을 생성하기 위한 박막 생성 및 제어 기술이 강하게 요구된다.
박막은 기판 위에 생성되는 물질의 얇은 고체 층이다. 만약 고체물질이 세 가지(두께, 폭, 길이)의 차원을 가지고 있다면, 박막 고체 층은 다른 두 개(폭, 길이)의 차원보다 훨씬 작은 두께의 차원을 갖는다. 박막은 막에 비해 훨씬 두꺼운 웨이퍼 기판과 결합되어 있다. 기판과 매우 근접한 박막 표면은 박막 물질의 물리적, 기계적, 화학적, 전기적 특성에 깊은 영향을 미친다.
