[전자공학] 반도체공정(Lithography)

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소개글
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목차
Lithography(공정)
반도체 공정 과정
Deposition(증착)
Lithography(리소그래피)
Etching(식각)
Packaging(패키징)
Lithography 과정
표면 준비
스핀 코팅
공기 건조
소프트 베이크
정렬과 노출
현상
세척 및 건조
하드 베이크
식각
감광막 제거
Lithography 정의
감광제(Photoresist) 정의
양성 감광제 (Positive Photoresist)
음성 감광제 (Negative Photoresist)
양성 및 음성 감광제 의 비교
마스크 패턴 과정
PR spin coating
Soft Bake
Exposure
Development
Hard Bake
PR spin coating
Soft Bake
Exposure
Exposure Methods(노출방법)
음영 인쇄법(Shadow Printing)
접촉 인쇄법(Contact Printing)
근접 인쇄법(Proximity Printing)
투사형 인쇄법(Projection Printing)
음영 인쇄법(Shadow Printing)
투사형 인쇄법(Projection Printing)
Development
Hard Bake
마스크(Mask)
마스크의 종류
사진 마스크(Photo Mask)
에멀젼 마스크(Emulsion Mask)
경질 마스크(Hard surface Mask)
유리 마스크
사진 마스크
에멀젼 마스크
경질 마스크
유리 마스크
Lithography 검사
현상 검사
식각 검사
최종 검사
마스크 검사
현상 검사
식각 검사
최종 검사
마스크 검사
문제점의 현상, 원인, 영향

참고 기술
적외선 베이크
굽는 방법의 비교
적외선 오븐 설치
적외선 베이크가 웨이퍼에 미치는 영향
적외선 베이크 공정 조건 의 결정
광원(Light Sources)
마스크의 휨(flex)
방사 노광기술(Radiation Lithography)
X-선 노광기술(X-ray Lithography)
전자빔 노광기술(Electron-beam Lithography)
이온빔 노광기술(Ion-beam Lithography)
비노광기술(Nonoptical Lithography)
Dip-pen 나노노광기술
나노각인 노광기술(NIL: Nano Imprint Lithography)
적외선 베이크 굽는 방법의 비교
적외선 오븐 설치
적외선 베이크가 웨이퍼에 미치는 영향
적외선 베이크 공정 조건의 결정
광원(Light Sources)

마스크의 휨(flex)

방사 노광기술(Radiation Lithography)
X-선 노광기술(X-ray Lithography)
전자빔 노광기술(electron-beam lithography)
이온빔 노광기술(ion-beam lithography)
비광노광기술(nonoptical lithography)
DIP-Pen 나노노광기술
나노각인 노광기술(NIL:nano imprint lithography)
본문내용
Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되어 있다.

2. 감광제에는 양성 감광제와 음성 감광제가 있다.
양성 감광제 (Positive Photoresist) 는 빛이 조사된 부분이 현상액에
녹으며 음성 감광제 (Negative Photoresist)는 이와 반대로 빛이
조사된 부분이 현상 때 녹지 않는 감광제를 말한다.
참고문헌
원문:Harun H Solak, Nanolithography with coherent extreme ultraviolet light, J. Phys. D: Appl. Phys. 39 (2006) R171–R188, 2006.5.5 KAIST 문상준
반도체 공학(2001)허규성/일진사
반도체공정개론(번역판)리차드예거,역:이상렬/교보문고
미세전자공학(번역판)스티븐A.캠벨,역:이상렬/홍릉과학출판사
하고 싶은 말
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