[반도체] 유비쿼터스용 차세대 메모리 기술(MRAM, FeRAM, PRAM)

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레포트 > 공학계열
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소개글

[반도체] 유비쿼터스용 차세대 메모리 기술(MRAM, FeRAM, PRAM)에 대한 자료입니다.

I. 서 론

II. 본론
1. 기존의 상용화 메모리 기술

2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술 동향

2. FeRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술동향

3. PRAM기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술동향

III. 결 론

IV. 참고 자료

본문내용

2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비자성층을 끼운 3층 구조로 강자성층에는 변이 금속성원소(Fe, Co, Ni) 및 그것들의 합금(CoFe, NiFe 등)이 채용되고 있다.
여기에서 그림 1(a)와 같이 상하 2개의 강자성층의 곁에 2개의 전선을 배합하고, 상부의 전선에는 안쪽에서 앞으로, 하부의 전선에는 앞에서 안쪽으로 전류를 흘려 보냈을 경우,..................

참고문헌

[1] 유병곤, 조경익, 강영일, “정보통신핵심부품 기술 동향 및 기술 진화 전망” 주간기술동향, 1000호 발간기념 특집호, 2001, p.26
[2] 유비쿼터스 정ㅂ사회를 위한 메모리 기술 조사연구보고서, JEITA 보고서, 2003.
[3] 진화하는 비휘발성 메모리, MRAM, FeRAM, OUM의 해설 Nikkei Electronics, 2002, 12.27

#차세대 메모리 # MRAM # FeRAM # PRAM # 천재

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