![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0001.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0002.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0003.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0004.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0005.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0006.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0007.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0008.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0009.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0010.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0011.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0012.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0013.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0014.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0015.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-16](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0016.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-17](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0017.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-18](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0018.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-19](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0019.gif)
![[반도체] 웨이퍼 세정 기술-20](http://images.happyhaksul.com/thumb/438/437367-0020.gif)
분야
pdf제조
공정과
웨이퍼
공정과
웨이퍼
이해
2. 오염과
세정의
목적
오염
및
세정
분류, 목적
이해
습식
세정
기술, 습식
세정의
한계
3. 세정
공정의
개요
4. 건식
세정
초임계
이산화탄소를
이용한
건식
세정
기술
5. 결론
향후의
전망
method)
고순도로
정제된
실리콘
용융액에
SEED 결정을
접촉, 회전시키면서
단결정
규소봉(ingot)을
성장시킨다.
SiO
2
+
2C
→
Si(MGS,
poly)
+ 2CO
Si
+
3HCl
→
SiHCl
3
+
H
2
2SiHCl
3
+
2H
2
→
2Si(EGS)
+ 6HCl
순도
99.9999999% 단결정
규
소를
얇게
잘라
표면을
매끈하
게
다듬은
것.
최근
두께
0.3mm, 지름
15cm 원판형으로
사용
앞으로
지름
30cm의
대형
웨
이퍼가
등장할
것임.
표면
결함이나
오염, 평탄도가
회로의
정밀도에
큰
영향을
미
친다.
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