분야
hwp목 차
A. 반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정
1.Photolithography
1.2.Phothlithography 과정
2. Optical-lithography의 한계
3. Post- Optical lithography
3.1 E-beam lithography
3.2 X- ray lithography
4. SPM을 이용한 나노 리소그라피
4.1 SPM을 이용한 리소그라피의 종류와 방법
4.1.1 여러 가지 SPL 기술
5. 나노임프린트 리소그래피
6. 소프트 리소그래피
B. 잉크젯기술의 배경 및 핵심기술
1) 잉크젯기술의 장점
2) 응용분야
※은(silver) 합성 과정( polyol process)
※점도 측정의 원리 (BROOKFIELD)
1. 온도에 따른 점도 변화
2. 압력에 따른 점도 변화
3. 점탄성
4. 원리 및 이론
1. 유변학 소개
A) 일정하게 가해진 힘에 의한 단순 변형 (Hookean response)
- Strain 이란?
- Shear stress ?
B) 일정한 shear stress가 가해진 경우의 단순 흐름 (Newtonian response)
2. 회전식 점도계(BROOKFIELD)
1. 원리
2. 단일 원통형 회전점도계
3. 공축 2중 원통형 회전점도계
Reference
A. 반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전사시킴으로써 행해지고 있다. 이 공정은 모든 프로세스 기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.
1.2.Phothlithography 과정
2. Optical-lithography의 한계
광 리소그라피(Optical lithography)는 지난 20세기 말경에 크게 발전하여 대용량 반도체(VLSI)의 미세회로가공에 적용되는 중요한 핵심기술로 발전하였다. Optical-lithography 1980년대 초에 고압 수은등을 이용한 G-선(436nm 파장) 자외선의 축소투영 노광장치(projection stepper)의 도입으로 시작되어 1 마이크론 해상도 수준을 돌파하고, I-선(365nm 파장) 노광기술로 0.5w 이하 해상도에 이르렀다. 계속적으로300nm 이하 단파장의원자외선(deep UV) 노광기술로 발달하여 0.210 이하의 고해상도 기술이 달성되었다. 현재에는 248nm 파장의 KrF 엑사이머 레이저 노광기술로 256메가빗(Mbit) DRAM 반도체의 대량생산이 이루어지고 있으며 1 기가빗(Gb) 메모리 반도체의 생산이 가능하게 되었다. 하지만 반도체 기술 분야에서 소자의 최소 선폭 크기(CD: critical dimension )는 Cordon Moore의 법칙에 따라 매 3년마다 30% 정도로 줄어들고 있다.
http://www.cheric.org/ippage/p/ipdata/2005/08/file/p200508-801.pdf
http://www.photondays.com/tech/inkjet1.pdf
