[화학] Effects of dopant(AI, Ga, In)on the characteristics of ZnO thin films prepared By FR magmetron sputtering system(영문)
레포트 > 공학계열 | 등록일자 : 2010.11.09    pptx  |  19 page  |  1,700원  |  적립금 : 51원 (구매자료 3% 적립)

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소개글
[화학] Effects of dopant(AI, Ga, In)on the characteristics of ZnO thin films prepared By FR magmetron sputtering system(영문)에 대한 자료입니다.
 
 
목차
1.Abstract
2.Introduction
3.Experimental
4.Result and Discussions
5.Conclusion
 
 
본문내용
High optical transmittance
Wide optical band gap
High electrical conductivity


Low cost
Non-toxicity
Good stability
Requirement of low temperature

Why is Wide band gap energy good?



It can be a very effective optoelectronic devices


There are many III-V and II-VI compound semiconductors with high bandgaps. The only high bandgap materials in…


group IV are diamond and silicon carbide (SiC).

Aluminium nitride (AlN) can be used to fabricate ultraviolet LEDs with wavelengths down to 200-250 nm.

Gallium nitride (GaN) is used to make blue LEDs and lasers.

Boron nitride (BN) is used in Cubic boron nitride.
 
 
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Effects, FR, Inon
 
 
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