![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0001.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0002.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0003.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0004.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0005.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0006.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0007.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0008.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0009.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0010.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0011.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0012.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0013.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0014.gif)
![[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537861-0015.gif)
분야
hwp1.1. 필요성
1.2. 종류 및 분류
1.3. CIGS의 시장규모
2. 본 론
2.1. CIGS의 기본 구조
2.2. Substrate
2.3. Back contact
2.4. Absorber layer
2.5. Buffer layer
2.6. Window layer
2.7. AR layer & Grid
2.8. Patternig
3. 결 론
4. References
후면전극 물질로는 Sputtering법으로 증착된 Mo이 가장 광범위하게 사용된다. 이는 Mo이 가진 높은 전기전도도, CIGS와의 ohmic contact, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다. Mo 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야 하고 또한 열팽창계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록 유리 기판과 점착성이 뛰어나야 한다.
불필요한 원자를 제거하기 위해, Chamber 내부에 비활성가스(Ar, N2 등) 분위기를 형성시켜 주고 진공상태를 유지해준다. Chamber 자체는 금속이기 때문에, 이에 의한 전자와 비활성가스가 같이 존재하고 있다고 볼 수 있다. DC전압을 가하면 Chamber 내부에는 전기장이 형성된다. 전압에 의하여 나오는 전자와 내부에 존재하고 있던 전자가 전기장에 의하여 운동을 하게 된다. 운동하는 전자는 20~30 eV의 에너지로 중성체를 때리게 되고, 이로 인하여 Ar 원자는 양이온(Ar+)으로 변하고, Ar의 radical 전자가 생성되어 Chamber 내부에는 e-, Ar+, radical이 존재함에 따라 전체적으로 중성 성질을 띠면서 Plasma를 나타낸다. 이 때, 양이온(Ar+)은 -극(박막재료)을 향하여 이동하고, 박막재료를 때리게 된다. 이로 인
- 박막형 태양전지기술 및 동향(2009.02.11 ETRI차세대태양광연구본부)
- 화학물 반도체 CIGS 박막태양전지(김제하 한국전자통신연구원)
- 화합물 박막 태양전지(윤재호)
- IT Soc Magazin(김제하 ETRI차세대태양광연구본부)
- http://www.solartodaymag.com/wsr/wsr_print.asp?idx=230&part_code=
- CIGS 박막의 전착에 관한 연구(이상민 고려대학교 자연과학대학 신소재화학과)
- Cu(In,Ga)Se2 박막 태양전지의 제조공정(김석기 한국에너지기술연구원)
- CIGS(CuInGaSe2) 박막형 태양전지 기술(최인환 중앙대학교 물리학과)
- 미래형 태양전지-플렉서블 CIGS(CuInGaSe) 태양전지(전착욱 영남대학교 디스플레이화학공학부)
- 박막형 태양전지기술 및 동향(김제하 차세대태양광연구본부)
