![[기계공학] 기계특수가공론-Ion Beam Machining(IBM)(영문)-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/538/537888-0001.gif)
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분야
pptx2.IBM System
3.Application of IBM
4.Ion Implantation
5.Application of Ion Implantation
6.Summary of IBM
7.The future of IBM
An ion beam is a type of An ion beam is a type of particle beam consisting of ions.
Ion beams have many uses in electronics manufacturing (principally ion implantation) and other industries.
아르곤 이온은 위의 과정으로 생성 됩니다.
전자기 코일 또는 영구 자석으로부터 얻은 자기장은 종종 전자의 소용돌이를 만들기 위해 양극과 음극 사이에 적용 됩니다.
나선형은 전자의 경로 길이를 증가시키면서, 결과적으로 전자의 이온화 또한 증가시킵니다.
Extraction grids
이온은 추출 격자를 이용하여 플라즈마에서 제거됩니다.
격자는 일반적으로 탄소 또는 몰리브덴의 다공 시트 2 ~ 3 배열로 이루어져 있습니다. 이러한 소재들은 이온 충격에 의한 부식에 잘 견딜 수 있습니다.
시트의 각 구멍은 층층이 위로 정렬됩니다.
일반적으로반도체 제작에서 mask 는 silicon dioxide or gallium arsenide wafer등의 기판에서 감광층을 선택적으로 노출시키기 위해 사용된다.
Wafer는 positive photoresist으로 개발되고, 노출된 부분은 화학적 과정으로 제거된다.
wafer 표면에 남겨진 모양은 노출에 의해 덮혀져 있던 부분이다.
TEM exposure
웨이퍼의 through hole은 TEM(투과전자현미경)에 의해 닫힐 수 있다.
수소, 탄소의 형성으로 인해 전자가 홀 폐쇄를 촉진 시킨다.
이 방법은 시간이 많이 걸린다.(100nm 홀을 닫는데 한시간정도)
이런 느린 방법은 홀의 사이즈를 컨트롤하는데 좋다(홀이 작아지고 있는 것을 눈으로 볼 수 있기 때문에). 단점은 역시 시간이 많이 걸린다는 것이다.
Vacancies and Interstitials
공격자점(Vacancies)은 원자에 의해 차지되지 않은 결정격자점으로써, 이 경우 이온이 타겟원자에 충돌하게 되면,큰 에너지가 타겟원자에 전이 되어서 그 결과로 원자가 격자구조를 벗어난 나는 것이다.
격자간원자(Interstitials) 발생시킨다 이러한 원자들이 고체내에 들어가려고 하지만 이것이 들어갈 충분한 자리가 없을때 생기는 현상이다.
