![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0001.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0002.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0003.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0004.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0005.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0006.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0007.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0008.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0009.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0010.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0011.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0012.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0013.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0014.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0015.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-16](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0016.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-17](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0017.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-18](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0018.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor 제작-19](http://images.happyhaksul.com/thumb/566/565571-0019.gif)
분야
hwp1. 실험 목적
2. 실험 배경
3. 실험 이론
① Si의 특성
② MOS Capacitor
③ E-Beam의 구조와 증착원리
4. 실험 방법
5. 결과 예측
6. 결과 분석
① C-V 결과 분석
② I-V 결과 분석
7. 결론
8. 참고문헌
① Wafer준비
우리 조의 변수인 산화물(SiO2)의 두께인 5nm, 10nm, 15nm가 증착된 Si wafer를 준비한다.
유산지를 깔고 그 위에 wafer를 올린다음 각 두께별로 원판모양인 Si wafer에 텅스텐 칼을 이용하여 약간의 힘을 가하면서 잘라주어 1면적을 가지도록 만들어준다.
각 두께별로 표시를 해둔 페트리디쉬에 자른 wafer를 담는다.
② Metal 증착
E-beam Evaporator
Shadow mask
Shadow mask에 자른 wafer를 붙인 후 E-beam장치를 이용하여 Au를 증착시킨다. 증착시키기 전에 E-beam장치 안에 혹시 있을지 모르는 전압을 접지시켜준다. 펌프를 이용하여 진공을 잡아준 후 금을 녹이기 위해 전압을 걸어준다. 어느정도 전압이 걸리면 암페어를 걸어주어 Au에 열이 생기게 하고 Au의 녹는점 온도가 되면 셔터를 열어주어 wafer에 Au가 증착되게 한다. 증착되는 Au의 두께는 1초당 600만번 진동하는 crystal로 매순간 측정을 하게해준다.
③ C-V, I-V 측정
C-V, I-V를 측정하기 위하여 Au가 증착된 반대면에 실버페이스트를 발라준다. 측정을 2-probe로 하기 때문에 글라스에 부착할 시 실버페이스트를 Au와 맞닿지 않는 정도로 wafer보다 약간 큰 면적을 갖게끔 발라준다.
C-V, I-V 측정 - 2 probe
1) 핵심반도체개론 -장지근 외
2) 반도체소자공학 - betty lise anderson외, 서정하 외 역
3) Solid State Electronic Devices - Ben Streetman, Sanjay Banerjee
4) 전자기학 - popovic zoya, 박동철 외 역
5) 한국진공학회지 제 10권 제 1호, 2001년
6) 엔지니어를 위한 기초전자공학 -明正水
7) Journal of the Korean Physical Society, Vol. 40, 1, January 2002, pp. 64~67
8) http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter6/ch6_3.htm
9) 재료전자기학 - 이후정교수님 강의안
