![[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/569/568775-0001.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/569/568775-0002.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/569/568775-0003.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/569/568775-0004.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/569/568775-0005.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/569/568775-0006.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/569/568775-0007.gif)
![[전자재료실험] MOS capacitor C-V, I-V 특성 측정 결과보고서-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/569/568775-0008.gif)
분야
hwp1. 실험 목적
2. 실험 이론
3.1. MOS Capacitor
3. 실험 순서
4. 예상 결과
4.1. C-V 특성
4.2. I-V 특성
5. 결과 분석
5.1. C-V 그래프 분석
5.2. I-V 그래프 분석
6. 오차 원인
7. 참고문헌
그림 2 이상적 mos capacitor의 c-v그래프
이번 실험에서는 mos capacitor에 걸어준 전압 변화에 따른 커패시턴스 변화를 측정한다. 커패시턴스는 두 도체 사이에 저장되는 전하량을 의미하며 로 구할 수 있다. 이 식으로부터 실험변수인 산화막 두께 d 값이 5nm, 10nm, 15nm로 변함에 따라 전기용량은 감소 할 것으로 예상된다. 전체적인 그래프 개형은 산화막 두께와 관계없이 세 시편모두 그림 10에서와 같은 모양을 할 것으로 예상된다. 전압을 증가시킴에 따라 축적모드에서는 전기용량이 일정하다가 공핍모드에서는 감소할 것이다. 더 큰 전압을 인가하면, 저주파(10Hz)일 경우 전기용량이 반전모드에서 다시 커지다가 일정해지며, 고주파(1MHz이상)일 경우 반전모드에서 상승하지 않은 채로 일정해 질 것이다. 그림에 17에 각각 점선과 실선으로 나타나 있다.
4.2 I-V 특성
그림 3 전형적인 mos capacitor I-V 그래프
이번 실험에서는 mos capacitor에 걸어준 전압 변화에 따른 누설전류를 측정한다. 커패시터 양단에 특정크기 이상의 전류를 걸어주게 되면 갑자기 절연체를 통과해 흐르는 전류의 양이 급격하게 증가한다. 즉, 절연체가 일정 전압 이상에서 절연 능력을 잃어버리고 전도성이 갑자기 커지는 절연파괴현상이 일어난다. 이때 최소 임계전압을 breakdown voltage라 하고 흐르는 전류를 누설전류라 한다. 이들은 기판에 증착한 박막의 특성과 두께 등에 의존한다.
우리 조는 박막의 종류를 로 하고 두께를 5nm, 10nm, 15nm로 변화시키면서
① Ben Streetman, Sanjay Banejea, Solid State Electronic Devices, 6th Edition
② Donald A. Neamen, Semiconductor Physics & Devices, 3th edition
