분야
hwp#반도체 소자의 제작공정
#MEMS (micro electro mechanical systems)
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정규소봉(INGOT)을 성장시킴
2단계 규소봉절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크그는 규소봉의 구경에 따라
3",4",6",8"로 만들어지며 생산성향상을 위해 점점 대구경화 경행을 보이고 있음
3단계 웨이퍼 표면연마
웨이퍼의 한쪽면을 연마하여 거울면처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 그려넣게 됨
4단계 회로설계
CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다.
5단계 MASK(RETICLE)제작
설계된 회로패턴을 E-beam설비로 유리판 위에 그려 MASK(RETICLE)를 만듬.
6단계 산화(OXIDATION)공정
고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘산화막(SiO2)를 현상시켜는 공정
7단계 감광액(PR:Photo Resist)도포
빛에 민감한 물질인 PR를 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킴
8단계 노광(EXPOSURE)
STEPPEE를 사용하여 MASK에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 공정
