![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0001.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0002.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0003.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0004.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0005.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0006.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0007.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0008.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0009.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0010.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0011.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0012.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0013.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0014.gif)
![반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/664/663156-0015.gif)
분야
hwp소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 특성과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward Region I-V 특성
DIODE의 온도 변화에 따른 Linear Forward Region에 대해 알아보겠다.
...생략
결과 및 고찰:
이번 실험을 하면서 반도체 소자가 주위의 환경에 많은 영향을 받는 것을 확인할 수 있었다. 온도를 0℃, 20℃, 40℃, 60℃, 80℃로 증가를 시키면서 전류를 관찰하였더니 온도에 따라서 전류가 증가하고, 문턱전압이 낮아지는 것을 실험적으로 관찰할 수 있었다. 이 실험의 주목적은 온도 변화에 따른 다이오드의 특성변화였지만 온도뿐만 아니라 빛에 대한 영향도 볼 수 있었다. 실험을 할 때 빛을 차단하는 것과 차단하지 않을 때 전류 특성이 달라지는 것을 볼 수 있었다.
