[공학] 반도체 공정실험 Dry Etching
![[공학] 반도체 공정실험 Dry Etching-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/878/877942-0001.gif)
![[공학] 반도체 공정실험 Dry Etching-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/878/877942-0002.gif)
![[공학] 반도체 공정실험 Dry Etching-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/878/877942-0003.gif)
분야
docx• Experimental method
• Result & discussion
• Conclusion
반도체 공정 과정 중 dry 식각에 관하여 조사를 하며 그 중에 플라즈마 원리 이해에 중점을 준다. 그리고 RF 전력과 식각률의 변화를 예측하고 본 실험에서 직접 광학현미경으로 측정하여 알아본다.
• Experimental method
⓵Photolithography 공정 후의 웨이퍼를 준비한다.
⓶웨이퍼를 유도결합 플라즈마(ICP) 장비의 chamber에 넣고 내부압력을 10^-3Torr이하로 조절한다.
⓷플라즈마 가스를 주입한 후 RF 전력을 100W로 1분간 식각과정을 거친다.
⓸동일조건의 웨이퍼로 RF 전력을 300W, 500W로 변경한 후 반복한다.
⓹식각과정을 마친 샘플들을 광학현미경을 이용하여 패턴의 크기를 관찰한다.
