소개글
[공학] 반도체 공정실험에 대한 자료입니다.
목차
Wafer cleaning & Oxidation
Photolithography
Dry Etching
Metal Deposition
Annealing (Silicidation)
본문내용
1. Oxidation
Temperature: 1000℃
Time: 1h, 3h, 5h
▶ Result
1h
2148.05
2187.27
2183.78
2173.03
3h
4691.06
4697.09
4734.00
4707.38
5h
6417.74
6448.17
6443.29
6436.40