2. 금속산화물 나노튜브 현행 제조 기술
○현행 제조 방법들은 Templete을 필요로 하며, Templete에 금속(또는 금속산화물)의 부착, 성장, 또는 침식을 유도하여 원하는 나노튜브를 얻어내는 방식이다.
(1) Carbon Nanotube Templete
탄소나노튜브의 구조 균일성과, 탄소나노튜브의 대량 생산기술이 확립되면서
금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다.
Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을 형성하고 그 위에 금속 전극을 배치한다. 이 구조를 접합구조로 한 MOS 다이오드, 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트에 사용한 MOSFET 등의 장
산화물, 휘발성유기화합물 등 1차 오염물질이 태양 복사에너지에 의하여 광화학반응을 일으켜 생성되는 오존, PAN(peroxy acetyl nitrate), PBN(peroxy benzoyl nitrate), 아크로레인(acrolein), 포름알데히드(formaldehyde) 등 산화성이 강한 물질을 말한다. 광화학스모그는 이러한 광화학산화제가 공기 중의 에어로졸이나 기
산화물 가스는 무색의 강한 자극성 기체로 어떤 농도이상이면 호흡기에 유독하고, 저 농도 에서도 저항성이 약한 식물에 해를 주어 고사시킨다.
또 황산화물은 질소산화물과 함께 산성비를 내리게 하는 원인이 되어 빌딩과 금속구조물을 부식시키고 동식물에 해를 끼친다. 산성비는 좁게는 어느 도시