1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으
리소그래피 기술의 개요
리소그래피는 포토마스크 기판에 그려진 VLSI의 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 수단이다. 포토레지스트(감광성 수지)의 도포에서 시작되어 스테퍼(노광장치)에 의한 패턴의 축소투영노광, 현상을 거쳐 포토레지스트를 마스크로 한 기판막을 에칭하고, 불필요해진 포토레지스트
1. 서론
최근 반도체칩의 집적도는 무어의 법칙 (Moore's Law)를 넘어서 지난 26년간 용량은 3200배 정도로 증가했다. 다시 말해 고(高)메모리의 수요가 증가함에 따라 반도체 디바이스의 집적화가 요구되고 이른바 ‘나노 시대’가 도래하였다. 기존의 리소그래피(Lithography) 기술은 나노 사이즈의 패턴을
Ⅰ. 광양자설(광자설)
아인슈타인은 이 가설을 당시에 수수께끼로 여겨졌던 광전효과에 적용하여 성공을 거두었다. 광전효과는 전자기파를 발견한 헤르츠에 의해 1887년 발견되었는데, 어떤 금속표면에 보랏빛 광선이나 자외선을 쪼이면 전자가 튀어나오는 현상을 말한다. 여러 가지 실험으로, 다음
1. 리소그래피(Lithography)의 정의
노광 기술(Lithography 기술)은 마스크(mask)상에 설계된 패턴을 웨이퍼 상에 구현하는 일종의 사진기술로서 마스크 형상을 웨이퍼에 전달하는 매체로 빔, 전자, 이온 등을 사용한다.
기판인 웨이퍼 위에 원하는 패턴을 구현하는 기술
2. 전통적인 리소그래피의 정의
리소