Advantage
① 낮은 성장률을 가지면서 높은 질의 epilayer을 생성
② 다양한 dopant 성분을 흡착이 가능하고, 복잡한 구조를
가진 다양한 layer를 생성
Disadvantage
① 고진공으로 인한 작동비용이 높음
② source material 교체로 인한 chamber 내부의 오염
③ As와 P이 포함되어 있는 alloy의 성장 제한
Light Emitting Diode (발광 다이오드)란 다수 캐리어가 전자인
n-type 반도체 결정과, 다수 캐리어가 정공인 p-type 반도체 결정이
서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 화합물
반도체의 특성을 이용해 전기신호를 원하는 파장 대역을(적외선-
가시광선-자외선) 갖는 빛으로 변환시켜 신호
반도체 연구는 ITRI가 주도하고 있으며 양산 위주의 연구개발에 집중하고 있고 Next generation Light R&D Consortium이 결성되어 100lm/W가 목표이다. 백색 LED의 발광방식은 UV-LED를 베이스로 하고 있고, 참여기업의 역할분담은 GaN 기판 (HVPE방식)을 ITRI/OES가 담당, 에피텍셜 웨이퍼 성장을 Epister 및 Forepi, 칩 프로세스
[3] Thin Film Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = Thin Film Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에