전극 printing 및 열처리.
a. 반사방지막이 증착되어있는 웨이퍼를 1x1 cm로 자른다.
b. Ag paste를 스크린프린팅 한다.
c. 150oC oven에서 10분간 건조시킨다.
d. RTA furnace를 이용하여 열처리를 한다.
e. Keithley 237 source-meter 장비를 사용하여 접촉저항을 측정한다.
f. 단면 관찰을 위해 시편을 cold-mountin
1. Introduction
흔히들 21세기를 ‘빛의 시대’라 말한다. 과거 실리콘 반도체가 전자 정보의 혁명을 가능케 했다면 이제 제 3세대 반도체인 질화물 반도체가 21세기 빛의 혁명을 예고하고 있다. 발광다이오드(light emitting diode: LED), 즉 "빛을 내는 반도체"가 바로 그것이다. LED는 p형과 n형 반도체의 접합으로
및 반사도 감소를 위해서 반사방지막을 코팅한다. 보통 질화막이나 산화막이 반사방지막 및 패시베이션 막의 역할로써 웨이퍼 위에 증착된다. 프린트 방식을 이용하여 100 마이크로미터 내외의 폭을 갖는 금속 전극을 형성한 후 급속 열처리를 통해 오믹 접촉을 이룸으로 태양전지를 완성한다.
전극으로 구성되며, 빛을 내는데 가장 중요한 다이오드 소자는 전극, 전자와 정공을 균일하게 퍼지게 하는 P형 GaN 과 N형 GaN, 그리고 다중양자우물 (MQW) 로 이루어져 있다. P형, N형 GaN 반도체를 접합한 다이오드에 순방향 전압을 인가하게 되면 전자(electron) 와 정공(hole)이 발광층에서 재결합하면서 빛을
전극을 형성하고, 소스와 드레인 전극을 위에 형 GaAs층을 형성시킨다.
< HEMT소자 단면 >
< 에너지 밴드 다이어그램 >
위의 왼쪽 그림은 AlGaAs-GaAs구조에 만들어진 HEMT소자의 단면을 보여주고 있다. 위의 오른쪽 그림은 게이트에 수직 방향으로의 에너지 밴드 다이어그램을 보여준다. 이종 접합이