1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
산화 환원 전위) 와 (반응에 관여하는 전자수) 값을 구해보고, 농도, 주사속도(scan rate)와 봉우리 전류()와의 관계를 알아보고, 지지 전해질에 차이에 따른 CV 곡선 변화를 찾아내어 그 이유를 알아본다.
Ⅱ. 실험 원리
ⅰ. Cyclic Voltammetry(순환 전압 전류법. CV)
ⓘ 기본원리
☞ 전극 퍼텐셜을 일정한
실험 목적
Cyclic Voltammetry (CV) 의 원리를 이해
산화환원 반응에서 산화, 환원 쌍의 E0와 반응에 관여하는 전자수 값을 계산
농도, 주사속도와 봉우리 전류(ip)와의 관계를 알아보고, 지지 전해질에 차이에 따른 CV 곡선 변화 이해
실험 원리
1. Cyclic Voltammetry
2. Fe(Ⅲ)(CN)6의 산화환원 반응
3. 봉우
Ⅰ. 개요
COD 반응은 다음 식으로 나타낼 수 있다.
MNO4- + 8H+ + 5e- = Mn2+ + 4H2O(산화)
2MNO4 + 5C2O42- + 16+ = 2Mn2+ + 10CO2 + 8H2O(역적정)
MnO4의 안정성은 중성에서 최대를 나타내며 Mn2+, MnO2, 산도, 온도의 증가에 따라서 저하한다. 알카리성에서는 MnO2에 무관계하나 알칼리도, MnO4농도, 시간에 따라서 안정성이 변한
전극의 면적 A에 비례하고 전극사이의 거리에 반비례한다. 따라서 라고 쓸 수 있다.
일반적인 커패시터에서의 d는 두 전극 사이의 거리를 나타낸다. MOS Capacitor에서의 d는 산화물의 두께이다.
Accumulation
(Vg < VFB)
Depletion
(VFB < VG < VT)
Inversion
(VT < VG)
① Accumulation
Vg<0 에서 금속기판은 -전