제목: 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정
문제제기: .기존 RCA법의 요염물 다량 배출(H202, DI water 및 HCl)
기존 RCA법에서 고가 운영비(과산화수소 처리공정, 높은 온도유지)
.반도체가 점점 작아지면서 미세한 오염물 제거의 필요성
지표면 오존의 심각성(오존주의보)
문제 제기
- 반도체의 집적도 증가에 따라 미세 오염물 제거 문제
- 기존 RCA법의 오염물 다량 배출 (H2O2,HCL,DI water)
및 고가 운영비
- 지표면 오존의 심각성(오존주의보)
wafer 세정에서 RCA 세정법을 대체 할 친환경 & 고기능 세
정제 및 공정 개발 (고체산 + 오존수 2단계 공정)
반도체 세
Cost down 방법
세정공정 중에 먼지 등 이물질이 들어가면 불량을 야기시킬 수 있기 때문에, 이를 방지하기 위해서 세정공정에 진공기술을 도입하여 불량률을 줄이고 재료의 변질을 막는다.
마스크공정, 노광공정의 수를 줄인다. 마스크, 노광공정에 LCD제조비의 상당수가 투입되고 있으며, 이를 한단
Particles: environment, equipments, operation, chemicals, water
Metallic: equipments, human (Na), chemicals, process (RIE, ion implantation, metallization)
Organic: container, human, cosmetics,PR, Chemicals, ambient organic vapor
습식세정
단점
독성이 매우 강한 용액을 사용하여 위험
진공 장비들과 연계하여 연속적인 공정 수행 힘
공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 Wafer 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체 세정공정은 Wafer 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적