공정으로 세정된다.
현재 반도체 공정에서 사용하는 습식 세정 공정은 1970년대 개발된 RCA 세정 방법을 근간으로 화학액의 조성에 큰 변화없이 사용되고 있다. RCA세정은 암모니아인 염기성을 주로 사용하는 SC1과 염산인 산성 용액을 사용하는 SC2 세정 방법으로 나눌 수 있다. RCA세정 공정 중 SC1 (Standar
뛰어나다.
- 대용량 보일러에의 설치경험이 많고, 공정의 신뢰도가 높다.
2) 단점
- 처리한 가스의 온도강하가 많아 배기가스 재가열이 필요하다.
- 일부공정에서는 다량의 폐수를 배출한다
- 증발 및 폐수처리에 따른 용수 소모량이 많다.
- 필요한 보조기기가 많아 동력소비가 많다.
공정을 통해 SOx 기체를 제거하면 고 순도의 이산화탄소가 남는다. 이때 남은 기체에서 이산화탄소만을 포집하는데 사용하는 기술들을 통틀어 연소 후 기술이라 한다.
연소 후 기술에는 크게 아민계 용매를 이용한 습식 흡수법, 건식 흡수법, 물리 흡수법, 흡착법, 막분리 방법 등으로 나누어 볼 수 있
공정
원액을80-90oC에서 기어 펌프로 일정량씩 공급하여 캔들필터에서 거른 후 방사노즐에 보내어 응고액중에 압출시켜 탈수 응고하여 섬유화 한다. 방사법으로는 PVA의 비중을 생각하여 縱型법이 작업상 용이하다.
4) 연신 공정습식법은 보통 포화망초용액 중에서 90-120oC로 행하고 건식법은 어느
습식 산화(wet oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한 산소를 사용하는 경우를 건식 산화라 하고, 산소와 수증기의 혼합물을 사용하는 경우를 습식 산화라 한다.
열 산화 공정은 일반적으로 수평 원통형 전기로 반응기에서 진행되고, 이때 반응기 시스템은 크게 네 부분 즉, 반응 기체들을 보관