2. Thermal Equilibrium
Fermi level for the first time (Figure 3(c)) of the dash-dot line) is drawn.
Semiconductor conduction band and valence band of the neutral zone draw. To display the semiconductor doping level of Fermi level for the proper placement of the band (as shown in Figure 3-a in the neutral zone - energy band diagram, the same must be present.
In depletion layer
실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급될 수 있는 재료이다. 또한 물질에 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이기도 하다.
되고, 금속기판은 (+)전하를 띄게 되고, 경계면의 Si원자는 (-)charge를 띄게 된다. 이때 hole과 -전자들이 합쳐지고, 남은 소량의 전자들이 Vg가 커짐에 따라 Si과 Oxide의 경계면으로 이동한다. 이때 carrier가 hole에서 (-) charge로 바뀐다. 결국 반도체가 p형에서 n형으로 반전되는 것이므로 inversion이라 한다.
MOScapacitor 이다.
3. 실험이론
① Capacitor(커패시터)
커패시터란 두개의 도체판을 절연물질(Insulator)을 중간에 두고 맞대어 놓은 구조물이다. 커패시터의 한 도체판에 전압이 인가되어 잉여의 전자가 존재하게 되면 반대편 판에서는 도체를 이루고 있는 전자들이 앞판의 전자압력에 의해 뒤편으로
전자빔을 이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여기에 의해 방출된 열전자들은 ingot 형태의 증착시키고자하는 재료(ingot feede