천이형), ZnSe(모재의 신뢰성 부족), GaN 등 세 가지 물질이 경합
③GaN은 In의 조성비에 따라 적색~near UV까지 발광하는 InGaN의 박막 성장이 가능
=>고휘도 청색 및 녹색 LED의 출현이 가능
3. LED 성장기술
①종류: 액상성장법, 기상성장법, 유기금속화학 기상증착법, 분자빔성장법
②고휘도 LED 생산에도 M
1. 실험 목적
변형 상황을 시시각각 ??를 수 있는 정도의 시험을 일반적으로 정적 시험이라 하며, 부하 후 ~sec 이내에서 파단하거나, 부하 후 항복까지의 시간이 ~sec 정도의 단시간인 고속 파괴 시험을 충격 시험이라고 한다. 충격 시험은 재료의 연성 또는 인성을 판정을 위한 것으로, 아주 짧은 시간에
Ⅰ. 서 론
ⅰ. 실험요약
이번 ‘충격 시험’ 실험은 충격력에 대한 재료의 충격저항을 시험하는데 목적이 있는 실험으로써 일반적으로 충격시험에는 재료를 파괴할 때 재료의 인성 또는 연성, 취성을 시험한다. 아주 짧은 시간에 큰 하중이 작용하는 하중을 충격하중이라 하며 재료에 충격저항
(작동)
에사끼는 터널이론을 적용하여 특수한 반도체 성질을 규명하였다. 터널 현상은 다수 반송자에 의한 효과이다. 반송자의 터널링 타임은 고전적인 천이시간과 일치하지 않았다. -고전적 천이시간은 장벽두께를 속도로 나눈 양이다.- 그러나 단위시간당 양자적 천이시간확률과는 일치하였다.