빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에 장착을 하고 도가니에 증착하고 싶은 물질, 예를 들어 powder를 올린다. 이때 물질의 상태는 solid상태여야 한다. 내부를 진공으로 만들어 준 뒤 E-beam gun을 물질에 쏘아서 증발시켜 실리콘 wafer에 증착을 시키는 것이 원리가 된다.
변화됩니다. 이때 일단 기판에 붙은 물질의 화학적 조성은 기판에 도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서
속도, 고분자의 중합속도와 고분자의 분자량, 고분자중합 중의 온도, 고분자화학구조와 결정구조, 양상의 고분자용매 사용성의 정도 등의 원인에 의해서 지배된다.
2. 1. 2. In situ 중합법
서로 혼합되지 않는 2상의 어느쪽이 한쪽의 상에 모노머와 촉매를 용매로 해서 계면에서 중합반응을 일으켜
화학기상증착, 열증착, 스퍼터링의 세 가지 종류로 분류할 수 있습니다. 화학기상증착(CVD)은 원료물질을 기체에 실어 보내 증착시키지만 기판의 표면에서 화학반응을 일으키는 방식 입니다. 열증착법(Thermal evaporation)은 금속재료를 증착시키기 위해 고진공에서 전자빔이나 전기 필라멘트를 이용해 보트