위의 <그림 1> Li2O-Al2O3-SiO2 의 상태도를 나타낸 것이고 <그림 2>는 SiO2 함량에 따른 Li2O-Al2O3-SiO2 (Eucryptite)-SiO2 의 상태도를 나타낸 것이다. 이 상태도를 바탕으로 Li2O-Al2O3-SiO2 에서는 α,β-Spodumene (Li2O-Al2O3-4SiO2), α,β-Eucryptite(Li2O-Al2O3-3SiO2), Petalite(Li2O-Al2O3-8SiO2) 와 같은 crystal 생성됨을 알 수 있다.
Ⅰ. 유리세공실험제목
유리 세공 실험
Ⅱ. 유리세공실험목적
화학 실험을 하다보면 여러 가지 실험 장치를 꾸며야 하는 경우가 생긴다. 화학 약품들 중 많은 종류가 유독성을 띠고 있기 때문에 이러한 약품에 잘 반응하지 않는 유리를 사용하는 경우가 많다. 따라서 유리를 가공하는 것은 화학 실
1.1 실험 제목
- XRD분석을 통한 Al2O3, TiO2, SiO2, B2O3의 정성, 정량 결정립의 크기 및 구조
분석
2. 결과예상
- 실험 계획서를 작성하면서 우리 조는 XRD 분석 방법과 JCPDS Card 판독법을 익히고, XRD 측정을 통해 얻은 data를 가지고 JCPDS Card 와 비교하여 시료의 결정구조를 알아내는 데에 그 목적을 두
The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O
2.3 C-V graph
The measured MOS capacitance (called gate capacitance) varies with the applied gate voltage.
① Measurement of C-V characteristics
-Apply any DC bias, and superimpose a small (15 mV) ac signal
-Generally measured at 1 MHz (high frequency) or at variable frequencies between 1KHz to 1 MHz
-The dc bias VG is slowly varied to get quasi-continuous C-V characteristics
② C-V chara